| 講演名 | 1993/10/28 O_2RIEにおけるエッチング速度と形状の制御 木村 泰樹, 青山 亮一, 鈴木 積, 大塚 博, |
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| 抄録(和) | 酸素を主体とするプラズマによる多層レジストの加工(O_2RIE)において、エッチング面積とガス流量の比(S, Fパラメータ)を一定に保つことにより、さまざまなエッチング面積のサンプルに対し、同じエッチング速度とレジスト形状を与える手法を開発した。イオン衝撃が一定の条件下においてはS/Fパラメータによりガス組成が一意的に決定され、エッチング速度と形状が制御される。S/FパラメータはMogabのローディング効果理論をO_2RIEの実験結果により拡張する事で導出され、エッチング速度とガス組成は、S/Fパラメータの関数として記述されている。さらにエッチング速度とレジスト形状の間には強い相関がある事が見出された。この相関を利用した形状制御手法も併せて提案する。 |
| 抄録(英) | A method that simply determines the equivalent O_2RIE conditions for different device layers with various areas of material to be etched(etchable area)by controlling the ratio of etchable area to the flow rate defined as S, F parameter is proposed. The concept of this method is that S, F parameter controls the gas composition which determines both the etching rate and the resist profile under the constant condition of ion impact.S/F parameter is introduced by extending the Mogab′s loading effect th eory using charasteristics in O_2RIE.The etching rate and the gas composition are expressed as functions of S/F parameter in the extended expressions. Furthermore,a linear relationship between the etching rate and resist profile is clarified and a resist profile control method using this relationship is also proposed. |
| キーワード(和) | O_2RIE / 多層レジスト / マグネトロン |
| キーワード(英) | O_2RIE / multilayer resist / magnetron |
| 資料番号 | SDM93-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/10/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | O_2RIEにおけるエッチング速度と形状の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Etching rate and resist profile control in O_2RIE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | O_2RIE / O_2RIE |
| キーワード(2)（和/英） | 多層レジスト / multilayer resist |
| キーワード(3)（和/英） | マグネトロン / magnetron |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 泰樹 / Yasuki Kimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 Oki electric industry |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 青山 亮一 / Ryouichi Aoyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 Oki electric industry |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 積 / Seki Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 Oki electric industry |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 博 / Hiroshi Ohtsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 Oki electric industry |
| 発表年月日 | 1993/10/28 |
| 資料番号 | SDM93-116 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 300 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |