| 講演名 | 1993/10/28 単層化学増幅型エキシマレジストにおける実用解像限界に関する考察 山下 一博, 勝山 亜希子, 小林 智, 松尾 隆広, 遠藤 政孝, 笹子 勝, |
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| 抄録(和) | 単層化学増幅型エキシマレジストの実用解像限界をレジスト周辺の環境が解像性に及ぼす影響、現像後のパターン倒れ、キュアや反射防止膜除去により生ずるパターンシフトの観点から考察した。理想的な基板上ではポジ型2成分系化学増幅型レジストASKAを用いて0.225ミクロンのパターン形成が可能である。レジスト上部雰囲気、下地基板上の塩基物は露光部の酸を失活させ解像性を劣化させるがオーバーコート、塩基物の中性化処理により解像性を劣化を押さえる事ができる。現象後のパターン倒れは、T-TOP現象とリンス液が乾燥するときの表面張力に起因しており、界面活性化剤を混入したリンス液を用いることにより0.2ミクロンL, Sまで抑制することが可能である。耐熱性はフラッシュ法により向上するが、原理的に寸法変動はゼロにできないので低温ドライエッチングが必要である。 |
| 抄録(英) | Practical resolution of single layer chemicary amplified resist has been investigated in the view points of the atmosp here depndency on resolution,the pattern collaspe during development and the pattern size shrinkage due to cure and the removal of anti- reflective layer.On an idealistic substrate,0.225micron L, S ASKA resist pattern was successfully obtained.Although the base on the substrate and in the air is the origin to recombinate the generated acid and degrade the pattern profile,overcoat and neutralization treatment of the subsutrate is effective to suppress it.It has been verified that the pattern collaspe during development is caused by the surface tension acompanied with rinse evaporlatiorl and T-Top.And the rinse with an additive can reduce the pattern collapse.Altough Flash Cure can improve the thermal stability,low temperature dry etching is necessary tor prevent the resist from pattern shrinkage because there remains it even with Flash Cure. |
| キーワード(和) | 化学増幅レジスト / エキシマレーザ / パターン倒れ / 耐熱性 / 雰囲気 / 反射防 止膜 |
| キーワード(英) | Chemically amplified resist / excimer laser / pattern collapse / thermal stability / atmosphere / anti-reflective layer |
| 資料番号 | SDM93-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/10/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単層化学増幅型エキシマレジストにおける実用解像限界に関する考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study for practical resolution of single layer chemically amplified resist in KrF excimer laser lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化学増幅レジスト / Chemically amplified resist |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマレーザ / excimer laser |
| キーワード(3)（和/英） | パターン倒れ / pattern collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 耐熱性 / thermal stability |
| キーワード(5)（和/英） | 雰囲気 / atmosphere |
| キーワード(6)（和/英） | 反射防 止膜 / anti-reflective layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 一博 / Kazuhiro Yamashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industial Co.,Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 勝山 亜希子 / Akiko Katsuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 智 / Satoshi Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 隆広 / Takahiro Matsuo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 遠藤 政孝 / Masayuki Endo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 笹子 勝 / Masaru Sasago |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
| 発表年月日 | 1993/10/28 |
| 資料番号 | SDM93-114 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 300 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |