| 講演名 | 1993/8/24 pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製 杉本 文利, 堀江 博, 有本 由弘, 伊藤 隆司, |
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| 抄録(和) | 研磨剤と下地酸化膜との反応により研磨剤のpHが低下し、研磨速度が低下することを利用した新しい研磨技術を開発し,膜厚0.1±0.01μmの薄膜SOI層(Sillicon On Insulater)を得た。SOI基板上に下地酸化膜を露出させた溝を形成し,また研磨剤としてpHを中性寄りに制御したコロイダルシリカスラリを用いることにより,SOI膜厚が減少するに従い研磨速度を自動的に低下させた。酸化膜表面と研磨剤の反応による局所的なpHの低下によりコロイダルシリカの活性が低下し,研磨能力が落ちたためと考えられる。 |
| 抄録(英) | A pH-cntrolled chemical mechanical polishing method has been developed for a large-area ultra-thin SOI layers with uniform thickness.Using a polishing reagent with both pH and the colloidal silica concentration lowered,as well as grooves fabricated on the SOI layer to expose the insulator oxide,polishing rate clearly dropped leaving a 0.1-μm-thick SOI layer.It is thought that the lo wer local pH of the reagent,caused by contact between the reagent and the insulator oxide,reduced the colloidal silica activity nearby the groove. |
| キーワード(和) | 研磨 / コロイダルシリカ / pH / SOI |
| キーワード(英) | polishing / colloidalsilica / pH / SOI |
| 資料番号 | SDM93-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/8/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | pH Controlled chemical mechanical polishing for ultra thin bonded SOI wafers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 研磨 / polishing |
| キーワード(2)（和/英） | コロイダルシリカ / colloidalsilica |
| キーワード(3)（和/英） | pH / pH |
| キーワード(4)（和/英） | SOI / SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉本 文利 / Fumitoshi Sugimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所ULSIプロセス研究部 ULSI Technology Laboratory,Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀江 博 / Hiroshi Horie |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所ULSIプロセス研究部 ULSI Technology Laboratory,Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 有本 由弘 / Yoshihiro Arimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所ULSIプロセス研究部 ULSI Technology Laboratory,Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所ULSIプロセス研究部 ULSI Technology Laboratory,Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 1993/8/24 |
| 資料番号 | SDM93-84 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 192 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |