| 講演名 | 1993/7/26 大電流ストレスによるジャイアント・グレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価 山田 尚, 星 司, 竹脇 利至, 柴田 直, 大見 忠弘, 新田 雄久, |
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| 抄録(和) | 新しい加速劣化試験方法を用いて低エネルギイオン照射プロセスによって形成したジャイアントグレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性の評価を行った。Cu配線の加速劣化試験においてN_2雰囲気などの非酸化雰囲気で行わなければ正確な評価を行えないことを示した。またジャイアントグレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性は、AI合金配線より1桁以上良いことを見いだした。そしてジャイアントグレインCuの加速劣化試験において大電流密度ストレス下では、従来とは全く異なったモードの配線劣化が生じていることを発見したのでここに報告する。 |
| 抄録(英) | We have evaluated electromigration resistance of giant-grain copper interconnects by using a newly-developed electromigration lifetest method under extremely large current stress.From the results of lifetests,we have demonstrated giant-grain Cu interconnects have much larger electromigration resistance than Al- alloy interconnects.Furthermore,we have discovered a new mode of electromigration failure occurring in Cu interconnects.Cu atoms move to the direction traversing the electron flow when an extremely large current stress condition is employed. |
| キーワード(和) | バイアス スパッタリング / Cu薄膜 / エレクトロマイグレーション / 加速劣化試験 / 金属 配線 / 低エネルギイオン照射 |
| キーワード(英) | Bias Sputtering / Cu Thin Film / Electromigration / Accelerated Lifetest / Interconnect / Low-energy ion bombardment |
| 資料番号 | SDM93-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大電流ストレスによるジャイアント・グレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electromigration Testing of Giant-Grain Copper Interconnects under Extremely Large Current Stress |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイアス スパッタリング / Bias Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | Cu薄膜 / Cu Thin Film |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロマイグレーション / Electromigration |
| キーワード(4)（和/英） | 加速劣化試験 / Accelerated Lifetest |
| キーワード(5)（和/英） | 金属 配線 / Interconnect |
| キーワード(6)（和/英） | 低エネルギイオン照射 / Low-energy ion bombardment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 尚 / Hisashi Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 司 / Tsukasa Hoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹脇 利至 / Toshiyuki Takewaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所超微細電子回路実験施設 Laboratory for Microelectronics Research Institute of Electrical Communication,Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 直 / Tadashi Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 新田 雄久 / Takahisa Nita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センター Device Development Center,Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1993/7/26 |
| 資料番号 | SDM93-69 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 172 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |