| 講演名 | 1995/10/20 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法 渡辺 重佳, 南 尚亮, |
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| 抄録(和) | 不純物濃度の統計的ゆらぎによって生じるしきい値ばらつきによる1.5V動作の1GビットDRAMの歩留り低減効果を定量的に見積もった。この効果により、1GピットDRAMではメガビットDRAMでは問題とならなかったセルのトランスファ-ゲート、センスアンプ、差動増幅器の歩留り低下が問題となる。この歩留り低減効果を改善するため、(1)従来のスペアロウ、スペアカラムを用いた冗長回路方式で、スペア数を大幅に増加させるだけでなく置き換えに柔軟性のあるFLEXIBLE冗長回路方式を導入し、(2)新たにDQ線等の差動増幅器の不良対策のため、可変接続型差動増幅器方式を導入する必要がある。 |
| 抄録(英) | This paper newly estimates the yield suppression for 1.5V 1Gbit DRAM caused by Vt variation of MOSFET due to macroscopic fluctuations in dopant distributions within a channel region. Further-more, the novel optimized redundancy techniques for enhancing the yield is proposed. |
| キーワード(和) | 1GビットDRAM / 歩留り / しきい値ばらつき |
| キーワード(英) | 1Gbit DRAM / yield / Vt variation |
| 資料番号 | SDM95-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/10/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of yield suppression for Gigabit DRAMs caused by Vt variation due to fluctuation in dopant distributions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 1GビットDRAM / 1Gbit DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 歩留り / yield |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値ばらつき / Vt variation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター ULSI研究所 ULSI Research Laboratories, Research and development Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 南 尚亮 / Takaaki Minami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 半導体事業本部 Semiconductor Group, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1995/10/20 |
| 資料番号 | SDM95-154 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 317 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |