| 講演名 | 1995/10/20 リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成 斎藤 洋司, 河辺 信宏, |
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| 抄録(和) | シリコン窒化酸化膜はメモリデバイス等における高信頼性絶縁膜として注目されているが、従来の形成法では膜緲戊の制御は充分ではない。本研究では、窒素・酸素混合ガスをリモートプラズマにより励起し、シリコン表面に供給して550℃の低温で窒化酸化膜の直接成長を行い、その成膜過程の解明を試みた。Auger電子分光分析により形成膜中の組成分布を調べたところ、窒素はおもに酸化膜シリコン界面付近に存在した。窒素ガスと酸素ガスの流量比を変化させることにより、ピーク窒素濃度は少なくとも7%程度まで制御でき、従来の窒素源である亜酸化窒素を用いた場合より広範囲の窒素濃度が得られることがわかった。一方、酸化種は膜成長を促進し、界面における窒素の取り込みを可能にするが、供給量が増大すると窒素濃度を減少させることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Silicon oxynitride thin films are promising highly-reliable dielectrics in the memory devices. In this study, direct oxynitridation of silicon is successfully performed by remote-plasma excited nitrogen and oxygen gaseous mixtures at 550 ℃. Nitrogen atoms are mainly incorporated near the SiO_2-Si interfaces with Auger electron spectroscopy measurements. We have controled the peak density of nitrogen up to several atomic percents at least, varying the partial pressure of nitrogen and oxygen. The supply of active oxygen species is required for the growth of oxynitride films, but reduces the density of nitrogen in the films. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ / シリコン窒化酸化膜 / 窒素 / 酸素 / Auger分析 / ガス分析 |
| キーワード(英) | remote plasma / silicon oxynitride films / nitrogen gas / oxygen gas / Auger analysis / gas analysis |
| 資料番号 | SDM95-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/10/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preperation of silicon oxynitride thin films by remote-plasma excited nitrogen and oxygen |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ / remote plasma |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン窒化酸化膜 / silicon oxynitride films |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素 / nitrogen gas |
| キーワード(4)（和/英） | 酸素 / oxygen gas |
| キーワード(5)（和/英） | Auger分析 / Auger analysis |
| キーワード(6)（和/英） | ガス分析 / gas analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斎藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河辺 信宏 / Nobuhiro Kawabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 : (現)東洋通信機株式会社 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 発表年月日 | 1995/10/20 |
| 資料番号 | SDM95-151 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 317 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |