| 講演名 | 1995/10/20 高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性 林 久貴, 栗原 一彰, 関根 誠, |
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| 抄録(和) | 微細で高アスペクト比コンタクトホール加工におけるSiO_2エッチング速度とその穴底におけるSi_3N_4エッチング速度の寸法依存性を確認し、これが開口径によらずアスペクト比により一律に説明がつくことを確認したアスペクト比に応じてエッチング速度が変化するのは電流量の変化に起因していると考えられる。一方、穴の底のSi_3N_4表面保護膜はアスペクト比が高いほどフッ素含有量が増え、スパッタリング耐性の弱い膜となっている。このことがアスペクト比の高いところでもSi_3N_4膜がエッチングされる原因と考える。酸素を微量添加することでSiO_2エッチング速度の寸法依存性は解消される。これは酸素添加によりイオン電流量が高アスペクト比でも低下しにくくなることが一因と考える。酸素添加に伴いSi_3N_4エッチング速度も上昇する。選択比低下を防ぐには穴の底にC含有量の高い粒子を導くことが必要と考える。 |
| 抄録(英) | The pattern size dependence of the SiO_2 etch rate of contact holes, and Si_3N_4 etch rate at the bottom of the holes were studied in C_4F_8 + CO plasma. It was found that these etch rates can be characterized by aspect ratio, regardless of absolute pattern size. SiO_2 etch rate decreased with increasing aspect ratio and became 0 at the aspect ratio of 6. Si_3N_4 etch rate also decreased, but at the aspect ratio of 12.5, etching still occurred From ion current measurements through capillary plates (CP) with different aspect ratio holes, it was deduced that etch rates decreased at high aspect ratio because of decreasing ion current. XPS analyses revealed that the fluorocarbon film deposited on the Si_3N_4 surface at the bottom of a hole of aspect ratio 12 were more F-rich and more vulnerable to sputtering than that deposited on a flat Si_3N_4 surface. This explains why Si_3N_4 is etched even in high aspect ratio holes. |
| キーワード(和) | SiO_2 / Si_3N_4 / C_4F_8 / コンタクトホール / 選択エッチング |
| キーワード(英) | SiO_2 / Si_3N_4 / C_4F_8 / contact hole / selective etching |
| 資料番号 | SDM95-148 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/10/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Highly Selective SiO_2/Si_3N_4 etching of High-Aspect-Ratio Holes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiO_2 / SiO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | Si_3N_4 / Si_3N_4 |
| キーワード(3)（和/英） | C_4F_8 / C_4F_8 |
| キーワード(4)（和/英） | コンタクトホール / contact hole |
| キーワード(5)（和/英） | 選択エッチング / selective etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 久貴 / Hisataka Hayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝、ULSI研究所 ULSI Research Labs., Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗原 一彰 / Kazuaki Kurihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝、ULSI研究所 ULSI Research Labs., Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関根 誠 / Makoto Sekine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝、ULSI研究所 ULSI Research Labs., Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1995/10/20 |
| 資料番号 | SDM95-148 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 317 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |