| 講演名 | 1996/3/11 アクティブ層にエッチストップ層を用いた薄膜SOI形成プロセス 海野 秀之, 今井 和雄, |
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| 抄録(和) | 貼り合わせ技術を用いた薄膜SOI形成プロセスを提案する。本プロセスはシングルエッチストップ法であり、エッチストップ層をアクティブ層として用いる。エッチストップ層中のボロンは高温水素処理によって低減する。従って、エピ成長工程が不要であり、高価な専用装置も必要としないため、低コストでSOI基板の形成が可能である。本方法を用いて、膜厚100nm、ボロン濃度4×10^<16>cm^<-3>の薄膜SOI基板を形成することができた。エッチストップ後のSOI膜の膜厚均一性(σ)は5～10nmである。また、水素処理によりシリコン膜の表面ラフネスも改善され、Rms値で0.2～0.3nmと良好な値が得られた。 |
| 抄録(英) | A thin-SOI process is proposed. This method is classified as a single etch-stop method. It uses an etch-stop layer as an active layer by decreasing boron concentration in the etch-stop layer. As a result, epitaxial growth and high-price exclusive equipment are not needed in this method making it possible to fabricate a low-cost SOI. Using this method we have fabricated a thin-SOI substrate having 100-nm thickness and with 4×10^<16> cm^<-3> boron concentration. SOI thickness deviation after the etch-stop has 5-10nm. Also, the silicon surface roughness decreased from 2.3nm to about 0.2nm due to the H_2 annealing effect. |
| キーワード(和) | 貼り合わせ / SOI / エッチストップ / 外方拡散 / ボロン |
| キーワード(英) | bonding / SOI / etch-stop / out-diffusion / boron |
| 資料番号 | SDM95-272 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/3/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アクティブ層にエッチストップ層を用いた薄膜SOI形成プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin-SOI Process Using an Etch-stop Layer as an Active Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貼り合わせ / bonding |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | エッチストップ / etch-stop |
| キーワード(4)（和/英） | 外方拡散 / out-diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | ボロン / boron |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 海野 秀之 / Hideyuki Unno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今井 和雄 / Kazuo Imai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1996/3/11 |
| 資料番号 | SDM95-272 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 570 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |