| 講演名 | 1995/8/17 フルオロカーボンECRプラズマにおけるエッチング特性経時変化の解析 宮川 康陽, 松井 孝行, 金森 順, |
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| 抄録(和) | ECRプラズマは低圧力域での放電ウィンドウが広く、今後のディープサブミクロン領域のコンタクトホールエッチングの有望なプラズマ源の1つである。しかし、その実用化については、エッチング特性の経時変化を抑えることが大きな課題であった。今回、Al製エッチングチャンバー内壁,およびSiウエハ上に堆積したフルオロカーボン(CF_x)膜の熱分析から、この経時変化がチャンバー内壁から脱離するフルオロカーボン化学種に起因することがわかった。経時変化を抑制するには、エッチング電極温度を高く設定すること,およびRFバイアスを高く設定すること,の2点が有効であることを確認した。 |
| 抄録(英) | ECR plasma source is a good candidate for fine contact hole etching in the deep sub-micrometer region because of its low operating pressure. However, changes in etching characteristics with a lapse of time must be reduced for the application to ULSI processing. With thermal analysis of fluorocarbon (CF_x) film deposited on chamber wall and Si wafer, we have found out that fluorocarbon species desorbing from the wall cause the changes. The reduction of the changes is successfully accomplished by the elevation of temperature of the electrode, on which Si wafer is electrostatically chucked, and the increase of RF bias applied to the electrode. |
| キーワード(和) | ECRプラズマ / エッチング特性の経時変化 / TDS / TP-XPS |
| キーワード(英) | ECR plasma / changes in etching characteristics with a lapse of time / TDS / TP-XPS |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/8/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フルオロカーボンECRプラズマにおけるエッチング特性経時変化の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of changes in etching characteristics with a lapse of time in a fluorocarbon ECR plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ECRプラズマ / ECR plasma |
| キーワード(2)（和/英） | エッチング特性の経時変化 / changes in etching characteristics with a lapse of time |
| キーワード(3)（和/英） | TDS / TDS |
| キーワード(4)（和/英） | TP-XPS / TP-XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮川 康陽 / Yasuhiro Miyakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松井 孝行 / Takayuki Matsui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金森 順 / Jun Kanamori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/8/17 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 206 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |