| 講演名 | 1995/8/16 LPCVD法によるSi_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング 藤本 浩章, 室田 淳一, 高澤 裕真, 後藤 欣哉, 石井 真, 松浦 孝, 澤田 康次, |
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| 抄録(和) | 高清浄ホットウォール型LPCVD装置を用いたSiH_4-GeH_4-H_2系によるSi_<1-x>Ge_x膜の低温(550℃)エピタキシャル成長及びPH_3,B_2H_6を用いたin-situドーピングを行った。その結果、SiH_4及びGeH_4の吸着がラングミュア型の速度式に従うと仮定すると、SiH_4及びGeH_4の吸着速度定数はSi-Geボンド上が最も大きく、一方、SiH_4の表面反応速度定数はGe-Geボンド上で最大になることがわかった。PH_3,B_2H_6を添加した場合、P,Bの取り込み速度は分圧に比例して増加し、また、膜中のGe比率とともに高くなる。このことは、Free Site密度の増加とFree Siteを構成するボンド種の違いによって説明される。特にPをドープした場合高Ge比率では膜中のPは電気的に不活性になりやすい。 |
| 抄録(英) | Low-temperature epitaxial growth of undoped and doped Si_<1-x>Ge_x films on the Si(100) surface at 550℃ was investigated under the cleanest possible reaction environment of SiH_4, GeH_4 and H_2 with the PH_3 or B_2H_6 addition using an ultraclean hot-wall low-pressure chemical vapour deposition (LPCVD) system. The SiH_4 and GeH_4 reaction rates are expressed by the Langmuir-type rate equation, assuming that one SiH_4 or GeH_4 molecule is adsorbed at a single adsorption site, according to the Langmuir's adsorption isotherm, and decomposes there. It is found that the SiH_4 and GeH_4 adsorption rate constants become larger at the bond site of the Si-Ge pair than those at the others, while the SiH_4 surface reaction rate constant becomes the largest at the bond site of the Ge-Ge pair. With the PH_3 and B_2H_6 addition, the incorporation rate of P and B increased proportionally and was higher with a higher Ge fraction x in the film. This was explained by the increase of the free site density and the difference of free site materials according to the Langmuir-type rate equation. In the case of P doping, it is found that electrically inactive P is formed with high Ge fractions. |
| キーワード(和) | Si / Si_<1-x>Ge_x / 化学気相成長法 / エピタキシャル成長 / in-situドーピング |
| キーワード(英) | Si / Si_<1-x>Ge_x / LPCVD / epitaxial growth / in-situ doping |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/8/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LPCVD法によるSi_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-situ Doping of P and B Doping Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Growth by LPCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | Si_<1-x>Ge_x / Si_<1-x>Ge_x |
| キーワード(3)（和/英） | 化学気相成長法 / LPCVD |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | in-situドーピング / in-situ doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤本 浩章 / Hiroaki Fujimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi Murota |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高澤 裕真 / Yushin Takasawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後藤 欣哉 / Kinya Goto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石井 真 / Makoto Ishii |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi Matsuura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 澤田 康次 / Yasuji Sawada |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1995/8/16 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 205 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |