| 講演名 | 1995/7/29 A 5V-ONLY 16M FLASH MEMORY USING A CONTACTLESS ARRAY OF SEGMENTED SOURCE-SIDE INJECTION CELLS , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The source side injection technology coupled with a modified virtual ground contactless array architecture is effective in addressing high density FLASH requirements. We describe a single supply 16Mbit chip developed in a 0.7μm triple-poly double metal process using a 3.36μm^2 cell. The design challenge is to implement all the necessary array interface circuitry while maintaining a high array-to-chip area efficiency. This implementation requires unique decoding circuitry on the bitlines and cell control gates. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Flash Memory |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/7/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 5V-ONLY 16M FLASH MEMORY USING A CONTACTLESS ARRAY OF SEGMENTED SOURCE-SIDE INJECTION CELLS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Flash Memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jo-Weon Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Design Laboratory 4. Semiconductor R&D LAB. 1 Hyundai Electronics Industries Co. Ltd |
| 発表年月日 | 1995/7/29 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 196 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |