| 講演名 | 1995/7/27 0.15μm CMOSトランジスタの高性能,高信頼性化プロセス 清水 悟, 黒井 隆, 酒井 舞子, 藤野 毅, 前田 容志, 堤 聡明, 広瀬 幸範, 楠 茂, 犬石 昌秀, 平尾 正, |
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| 抄録(和) | 高性能,高信頼性を有する0.15μmCMOSトランジスタの新規プロセスを開発した。特徴は、以下の通り。(1)シリコン注入を用いたCoSi_2/Si基板界面の改善による浅い接合形成。(2)ゲート電極への窒素注入を用いたゲート窒化酸化膜形成による信頼性の改善。(3)ゲートアラウンドマスクを用いた選択的チャネル注入による接合容量の低減。これらの新規プロセスを用いる事で、ゲート長が0.15μmのトランジスタのホットキャリア耐圧が2Vをクリアし、CMOSリングオシレータにおいて、Vcc=2Vで21psec/段のゲート遅延時間が実現できた。また、0.15μmMOSにおいても、スケーリングメリットがある事を示した。 |
| 抄録(英) | We have developed the novel 0.15μm CMOS process for high performance and high reliability, consisting of mixing the CoSi_2/Si interface using silicon ion implantation to form shallow junctions, nitrided oxide using nitrogen implantation into gate electrodes to improve the oxide reliability, and selective channel implantation using gate-around masks to reduce the junction capacitances. By using these processes, the propagation delay time of 21 psec/stage was obtained for 0.15μm CMOS inverter ring oscillator at the allowable maximum supply voltage of 2.0V limited by hot-carrier degradation. Moreover, we present that the scaling merits are obtained even for 0.15μm MOSFETs. |
| キーワード(和) | CMOS / コバルトサリサイド / イオンミキシング / 窒化酸化膜 / 信頼性 / リングオシレータ |
| キーワード(英) | Dual Gate CMOS / Co-Salicide / Ion Mixing / Nitrided Oxide / Reliability / Ring Oscillator |
| 資料番号 | |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/7/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 0.15μm CMOSトランジスタの高性能,高信頼性化プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 0.15μm CMOS Process for High Performance and High Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / Dual Gate CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | コバルトサリサイド / Co-Salicide |
| キーワード(3)（和/英） | イオンミキシング / Ion Mixing |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化酸化膜 / Nitrided Oxide |
| キーワード(5)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(6)（和/英） | リングオシレータ / Ring Oscillator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 悟 / Satoshi Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒井 隆 / Takashi Kuroi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 舞子 / Maiko Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤野 毅 / Takeshi Fujino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前田 容志 / Hiroshi Maeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 堤 聡明 / Toshiaki Tsutsumi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 広瀬 幸範 / Yukinori Hirose |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 楠 茂 / Shigeru Kusunoki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 犬石 昌秀 / Masahide Inuishi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 平尾 正 / Tadashi Hirao |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) ULSI研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1995/7/27 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |