| 講演名 | 1995/5/24 プラズマ照射に起因する熱処理後の酸化膜中残留ダメージの評価 北林 宏佳, 武藤 浩隆, 藤井 治久, 坂森 重則, 宮武 浩, |
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| 抄録(和) | プラズマをMOSキャパシタに照射すると、フラットバンド電圧(Vfb)がシフトする。熱処理を行うことで、Vfbのシフトは回復する。しかし、プラズマ照射中のダメージは残留しており、種々のデバイスの信頼性に影響を与える可能性がある。そこで、プラズマ照射後、熱処理を行ったMOSの電荷注入によるVfbシフト特性を検討した。その結果、プラズマ照射下で磁場を印加し、熱処理した後に残留しているMOSのダメージは、FN(Fowler-Nordheim)電流ストレスを主要因とするダメージであると考えられる。その際、プラズマ密度の高い領域で印加されるプラスのFNストレスは酸化膜中に中性欠陥を生じ、熱処理後も正孔が捕獲され易い状態にある。一方、マイナスのFNストレスが印加された領域では、ダメージは残留しないことがわかった。 |
| 抄録(英) | Plasma process causes oxide charging, which is temporarily removed by high temparature annealing steps. However the oxide charging damage reappears during device operation as enhanced flatband voltage shift. We investigated latent damage in oxide films due to plasma exposure. It was found that latent damage depends on the polarity of FN stress. In positive FN stress (dense plasma region), neutral defects in the oxide remain after anneal. The neutral defects causes positive charge accumulation by subsequent FN stress. On the other hand, in negative FN injection, latent damage are passivated by anneal. |
| キーワード(和) | MOS / プラズマ照射 / FN電流ストレス / ダメージ / SiO2 |
| キーワード(英) | MOS / Plasma exposure / FN current / Damage / SiO2 |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/5/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマ照射に起因する熱処理後の酸化膜中残留ダメージの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Latent Damage in Oxide Films due to Plasma Exposure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ照射 / Plasma exposure |
| キーワード(3)（和/英） | FN電流ストレス / FN current |
| キーワード(4)（和/英） | ダメージ / Damage |
| キーワード(5)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北林 宏佳 / Hiroyoshi Kitabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)中央研究所 Mitsubishi Electric Corp. Central Research Lab. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武藤 浩隆 / Hirotaka Muto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)中央研究所 Mitsubishi Electric Corp. Central Research Lab. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 治久 / Haruhisa Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)中央研究所 Mitsubishi Electric Corp. Central Research Lab. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坂森 重則 / Shigenori Sakamori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 Mitsubishi Electric Corp. ULSI Lab. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮武 浩 / Hiroshi Miyatake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 Mitsubishi Electric Corp. ULSI Lab. |
| 発表年月日 | 1995/5/24 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 66 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |