| 講演名 | 1995/5/24 フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化 山本 克美, 大西 一功, 高橋 芳浩, 佐藤 順平, |
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| 抄録(和) | フラッシュEEPROMの界面特性をチャージポンピング法により測定し、書き換えにともなう劣化の検討を行った。チャージポンピング電流の測定からドレイン及びソース近傍の界面準位による電流が分離でき、書き換え回数増加にともないソース近傍の界面準位が増加することがわかった。 |
| 抄録(英) | The degradation of endurance characteristic in a Flash EEPROM is discussed by the measurement of charge pumping current. From this experiments, we found that the charge pumping current due to the interface traps near the drain and the source can be separated. With the increase of write and erase cycles, the interface traps near the source increase. |
| キーワード(和) | フラッシュEEPROM / チャージポンピング法 / 界面準位 / 繰り返し書き換え特性 |
| キーワード(英) | Flash EEPROM / Charge Pumping Technique / Interface Traps / Endurance |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/5/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Charge Pumping Technique to analyze the memory characteristic degradation of a Flash EEPROM device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュEEPROM / Flash EEPROM |
| キーワード(2)（和/英） | チャージポンピング法 / Charge Pumping Technique |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位 / Interface Traps |
| キーワード(4)（和/英） | 繰り返し書き換え特性 / Endurance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 克美 / K. Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Sci. & Tech. Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大西 一功 / K. Ohnishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Sci. & Tech. Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 芳浩 / Y. Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Sci. & Tech. Nihon University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 順平 / J. Satoh |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Sci. & Tech. Nihon University |
| 発表年月日 | 1995/5/24 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 66 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |