| 講演名 | 1995/4/21 SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象 石黒 仁揮, 平本 俊郎, 藤田 博之, 生駒 俊明, |
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| 抄録(和) | Si極微細構造における電気伝導を解明するため、Si極微細MOS構造を作製しその電気特性の測定を行なっている。SOI(Silicon On Insulator)基板上に電子ビーム露光およびリフトオフによりスプリットゲートを作製し、静電的に電子の伝導チャネルを細線領域に閉じ込めることで、極微細MOS構造を実現した。4.2K以下の測定でピンチオフ電圧付近のコンダクタンスに振動が観測された。フーリエスペクトルからコンダクタンス振動は、周期的成分および非周期的成分から形成されていることが分かった。また、ドレイン-ソース間の電流一電圧特性には非線形性が観測された。これらの現象は電気伝導がクーロンブロケードによる単一電子トンネル、およびホッピング伝導に支配されていることを示すものだと考えられる。 |
| 抄録(英) | A very narrow, short channel n-MOSFET has been fabricated utilizing the electrostatic potential confinement by a split-gate on an SOI substrate and it's electrical transport properties have been investigated at very low temperatures (≤4.2 K). Conductance as a function of the split-gate voltage exhibits oscillations near the pinchoff voltage. The oscillations consist of a periodic component and aperiodic components. Current-voltage (I_ |
| キーワード(和) | クーロンブロケード / 単一電子トンネル / ホッピング伝導 / スプリットゲート / SOI / MOS |
| キーワード(英) | Coulomb blockade / single electron tunneling / hopping transport / split-gate / SOI / MOS |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Conductance Oscillations in a Split-Gate MOSFET Fabricated on an SOI Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クーロンブロケード / Coulomb blockade |
| キーワード(2)（和/英） | 単一電子トンネル / single electron tunneling |
| キーワード(3)（和/英） | ホッピング伝導 / hopping transport |
| キーワード(4)（和/英） | スプリットゲート / split-gate |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | MOS / MOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 博之 / Hiroyuki Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 生駒 俊明 / Toshiaki Ikoma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | T.I.筑波研究開発センター T.I. Tsukuba R&D Center Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |