| 講演名 | 1995/4/21 InAsナノ結晶GaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性 渡辺 義夫, 前田 文彦, 清倉 孝規, 尾嶋 正治, |
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| 抄録(和) | ナノ結晶を用いて擬0次元量子箱構造を実現する際、量子ドットの量子化準位の値に大きく影響を及ぼす界面でのバンド不連続量に注目し、放射光光電子分光および紫外線光電子分光を用いてSe処理GaAs基板とInAsナノ結晶とのヘテロ界面の価電子帯バンド不連続性の評価を行った。その結果、As安定化GaAs基板とInAs結晶とのヘテロ界面の価電子帯バンド不連続量は-0.02eVになるのに対して、Se処理GaAs基板とInAsナノ結晶とのヘテロ界面の実効的な価電子帯バンド不連続量は-0.18eVとなった。この結果はInAs/Se/GaAs系に於いては正孔もInAsナノ結晶中に閉じ込められることを示唆している。 |
| 抄録(英) | We studied InAs epitaxial nanocrystal growth by MBE on a Se-terminated GaAs surface as well as on an As-stabilized GaAs surface by in situ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy to evaluate the valence-band discontinuity at hetero-interfaces. Our measurements yield valence-band offset values of -0.02 eV for InAs on As-stabilized GaAs and -0.18 eV for InAs on Se-terminated GaAs. This result implies that hole carriers can be confined in InAs nanocrystals on Se-terminated GaAs. |
| キーワード(和) | ナノ結晶 / Se処理 / 放射光 / 光電子分光 / 価電子帯 / バンド不連続 |
| キーワード(英) | nanocrystal / selenium-treatment / synchrotron radiation / photoelectron spectroscopy / band discontinuity |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAsナノ結晶GaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Valence-band discontinuity at InAs nanocrystal/Se-terminated GaAs hetero - interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノ結晶 / nanocrystal |
| キーワード(2)（和/英） | Se処理 / selenium-treatment |
| キーワード(3)（和/英） | 放射光 / synchrotron radiation |
| キーワード(4)（和/英） | 光電子分光 / photoelectron spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | 価電子帯 / band discontinuity |
| キーワード(6)（和/英） | バンド不連続 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 義夫 / Yoshio Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT境界領域研究所 NTT Interdisciplinary Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 文彦 / Fumihiko Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT境界領域研究所 NTT Interdisciplinary Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清倉 孝規 / Takanori Kiyokura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT境界領域研究所 NTT Interdisciplinary Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尾嶋 正治 / Masaharu Oshima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT境界領域研究所 NTT Interdisciplinary Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |