| 講演名 | 1995/4/21 In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察 田中 宏幸, 沖原 将生, 平下 紀夫, 今野 豊彦, Sinclair Robert, |
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| 抄録(和) | ZrとSiとの界面反応をin-situTEM、EDS、およびナノビーム回折を用いて観察した。Zr堆積直後界面に形成された約2nmアモルファス層は400℃のアニールにより成長するが、これはZr方向への初期の急激な増加とその後の両方向への緩やかな増加とからなり、最終的には飽和する。これらは拡散により成長するものと考えられる。500℃のアニールによりアモルファスSiの界面にZrSi_2が形成される。このZiSi_2の成長はC49構造の(060)面を一層としてSi中へlayer-by-layerで進むことを確認した。 |
| 抄録(英) | The interfacial Reactions in the Zr/Si system have been studied by in-situ cross section TEM including high resolution mode, EDS, and nano-beam electron diffraction. The amorphous interlayer at the Zr/Si interface grows during annealing at 400℃. The growth of the amorphous layer consists of three stages ; a rapid increase in the early stage, a gradual increase in the intermediate metastable stage, and saturation in the final stage. Annealing at 500℃ creates a ZrSi_2 layer in the C49 structure with a <010> orientation upon the (100) Si substrate at the amorphous layer/Si interface. The ZrSi_2 is found to grow layer-by layer into the Si substrate via a ledge mechanism. |
| キーワード(和) | in-situ TEM / Zr/Si / 界面アモルファス層 / ZrSi_2 / C49構造 / layer-by-layer |
| キーワード(英) | in-situ TEM / Zr/Si / amorphous interlayer / ZrSi_2 / C49 structure / layer-by-layer |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interfacial reactions in the Zr-Si system observed by in-situ TEM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | in-situ TEM / in-situ TEM |
| キーワード(2)（和/英） | Zr/Si / Zr/Si |
| キーワード(3)（和/英） | 界面アモルファス層 / amorphous interlayer |
| キーワード(4)（和/英） | ZrSi_2 / ZrSi_2 |
| キーワード(5)（和/英） | C49構造 / C49 structure |
| キーワード(6)（和/英） | layer-by-layer / layer-by-layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 宏幸 / Hiroyuki Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 沖原 将生 / Masao Okihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平下 紀夫 / Norio Hirashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今野 豊彦 / Toyohiko Konno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | Sinclair Robert / Robert Sinclair |
| 第 5 著者 所属（和/英） | Department of Materials Science and Engineering, Stanford University Department of Materials Science and Engineering, Stanford University |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |