| 講演名 | 1995/4/21 Valence Band Alignment at Ultra-Thin SiO_2/Si(111) Interfaces as Determined by High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The valence band structure of the ultra-thin SiO_2/Si(111) interface has been studied by high resolution x-ray photoelectron spectroscopy. The absence of Si^<2+> derived from the deconvolution of the Si 2p core-level peak implies an atomically flat interface mainly formed by Si^<1+>. The energy shifts found in the Si 2p and O 1s core-level peaks are induced by charging effects and have been corrected. The valence bands for the ultra-thin (1.8-3.7nm thick) SiO_2 are obtained after subtracting the substrate Si contribution from the measured spectrum and by taking into account charging effects. The valence band alignment of the ultra-thin SiO_2/Si(111) interfaces is found to be 4.36±0.10eV regardless of oxide tickness. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | ultra-thin SiO_2/Si(111) interface / XPS / oxide thickness / charging effect / valence band / band alignment |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Valence Band Alignment at Ultra-Thin SiO_2/Si(111) Interfaces as Determined by High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / ultra-thin SiO_2/Si(111) interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Josep L. Alay |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Center for Integrated Systems, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |