| 講演名 | 1995/4/21 ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価 張 利, 酒井 忠司, 鈴木 健聡, |
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| 抄録(和) | ポーラスシリコン(PS)の微細構造を保持しながら基本的な不純物であるボロン及びリンの拡散を試み、微細構造と不純物分布を独立に制御することに成功した。これにより、発光特性を保ったままポーラスシリコン層の抵抗率を低減することができた(ITO/PS接合発光素子の抵抗を2桁以上低減)。さらに層の一部の領域の伝導型を選択的に転換して、PS層中にn+p型の均質なホモpn接合を形成することに成功した。このpn接合はシリーズ抵抗の小さい良好なダイオード特性とともに、PSとして世界で最も低電圧の0.66Vからの注入発光を、シリコンフォトダイオードにより確認することができた。 |
| 抄録(英) | Impurity doping (boron and phosphorous) into porous silicon(PS) has been carried out succesfully while retaining the fine structures of PS. This makes it possible to control the PS structures and the impurity state independently. The PS resistivity was reduced(which infered by the ITO/PS heterojuncton's series resistance being reduced by 2 order of magnitude), and by converting one part of the layer's type, a highly uniform PS homojunction pn diode was obtained which shows good rectifying characteristics. Visible light was observed and, using a photodiode, an onset voltage of 0.66V was obtained. |
| キーワード(和) | 多孔質Si / 量子効果 / 発光 / 熱拡散 / pn接合 |
| キーワード(英) | Porous Si / quantum size effect / EL / PL / doping / pn junction |
| 資料番号 | |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | LED Fabrication and Investigation by Impurity Doping into Porous Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多孔質Si / Porous Si |
| キーワード(2)（和/英） | 量子効果 / quantum size effect |
| キーワード(3)（和/英） | 発光 / EL |
| キーワード(4)（和/英） | 熱拡散 / PL |
| キーワード(5)（和/英） | pn接合 / doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 張 利 / L. Zhang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corp., Research and Developement Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 酒井 忠司 / T. Sakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corp., Research and Developement Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 健聡 / T. Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corp., Research and Developement Center |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |