| 講演名 | 1995/4/21 ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析 酒井 忠司, 鈴木 健聡, 張 利, |
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| 抄録(和) | ポーラスSi(PS)の陽極酸化過程での液中EL発光は、現状の固相接合ELに比べ、極めて高効率であり、発光の再現性も高い。本研究では、陽極酸化中のELとPLのその場同時測定を新たに行うことによって、その発光挙動と微細構造の関係について解析した。その結果、光照射下で作製したPSは、表層に基板とは孤立した微細構造を含み、これがPLに寄与するのに対し、暗中で作製したPSは表層まで基板と電荷のやりとりが可能なネットワーク型の微細構造を有し、PLとELは一致することを見出した。この知見を元に、電荷注入発光に適すると考えられる暗中PSをベースにしてEL発光効率の改善を試み、予備陽極酸化とエッチングの組合わせによって、これまで最も高い0.35%の発光効率を得た。 |
| 抄録(英) | Porous silicon (PS) electroluminescence (EL) and photoluminescence (PL) during anodic oxidation have been analyzed simultaneously at first time. As a result, PS made under illumination was found to have an isolated powder like nano-structure especially in the surface region. Therefore, the wavelength of PL did not agree with the EL which is generated from the inner like network structure. On the other hand, PS made in dark condition has good network like nano-structure through the substrate interface to the top surface, and the PL peak agreed with the EL. On the bases of this network structure, EL efficiency has been developed at a maximum of 0.35% by applying pre-anodic oxidation and HF etching technique. |
| キーワード(和) | ポーラスSi / 陽極化成 / 陽極酸化 / EL / PL / 発光 / 発光効率 / Si量子細線 |
| キーワード(英) | porous silicon / anodic oxidation / EL / PL / emission efficiency / silicon quantum wire |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/4/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Porous Silicon Electroluminescence during Anodic Oxidation and its micro-structure analysis |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポーラスSi / porous silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 陽極化成 / anodic oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 陽極酸化 / EL |
| キーワード(4)（和/英） | EL / PL |
| キーワード(5)（和/英） | PL / emission efficiency |
| キーワード(6)（和/英） | 発光 / silicon quantum wire |
| キーワード(7)（和/英） | 発光効率 |
| キーワード(8)（和/英） | Si量子細線 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 忠司 / Tadashi Sakai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 健聡 / Taketoshi Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 張 利 / Li Zhang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Research and Development Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1995/4/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 10 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |