| 講演名 | 1996/8/23 低電力32Mビット・ページモードマスクROM 河内 修一郎, 松山 隆介, 堀田 泰裕, 岡田 幹郎, 次田 博, |
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| 抄録(和) | チップ面積及び消費電流の増大を大幅に抑制した32Mビット・ページモードマスクROMを開発した. 高速, 低消費電流化の為に新規バンク選択方式メモリアレイ, 新規ページモード読み出し方式, バーストモードデコーダを開発した. その結果, マスクROMの特徴を損なうことなく1層アルミ1層ポリシリコンのシンプルなプロセスにてバーストアクセス20ns, 動作電流25mAを実現した. |
| 抄録(英) | A 32Mbit Page Mode MASK ROM is developed without significant penalty of increasing chip size and power consumption. A new bank select memory architecture, a new page mode sensing scheme and a burst mode decoder are developed to realize high speed and low power operation. Typical burst mode access time of 2Qns and operating current of 25mA are obtained using a CMOS single-poly single-metal process without affecting distinctive characteristics of MASK ROM. |
| キーワード(和) | マスクROM / ぺージモード / バンク選択方式 / 低電力 |
| キーワード(英) | MASK ROM / Page Mode / A bank select memory architecture / Low power |
| 資料番号 | SDM-96-89,ICD-96-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/8/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電力32Mビット・ページモードマスクROM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 3.3V 32Mbit Page Mode MASK ROM with Low Power Sensing Scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マスクROM / MASK ROM |
| キーワード(2)（和/英） | ぺージモード / Page Mode |
| キーワード(3)（和/英） | バンク選択方式 / A bank select memory architecture |
| キーワード(4)（和/英） | 低電力 / Low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河内 修一郎 / Shuichiro Kouchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 IC天理事業本部 メモリー技術センター Memory IC Engineering Center Tenri IC Group, SHARP Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松山 隆介 / Ryusuke Matsuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 IC天理事業本部 メモリー技術センター Memory IC Engineering Center Tenri IC Group, SHARP Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀田 泰裕 / Yasuhiro Hotta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 IC天理事業本部 メモリー技術センター Memory IC Engineering Center Tenri IC Group, SHARP Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 幹郎 / Mikiro Okada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 IC天理事業本部 メモリー技術センター Memory IC Engineering Center Tenri IC Group, SHARP Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 次田 博 / Hirosi Tsugita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 IC天理事業本部 メモリー技術センター Memory IC Engineering Center Tenri IC Group, SHARP Corporation |
| 発表年月日 | 1996/8/23 |
| 資料番号 | SDM-96-89,ICD-96-109 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 226 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |