| 講演名 | 1996/8/23 多結晶シリコン抵抗の安定化技術 山内 経則, 中村 俊二, 米澤 岳美, 余 寧梅, 柴田 直, 瀬戸山 孝男, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 今回筆者等は, 多結晶シリコン抵抗の上部をA1配線が横切る場合に, 抵抗値が低下する現象を見いだした. 本現象は, 多結晶シリコン上に直接, 熱CVD窒化膜をつけること, または, リンとボロンの二重イオン注入により防止できることを確認した. ホール効果測定により, 抵抗値変動は移動度のみの変化であり, また, 温度特性から求めたバリアハイトとSetoの提案する電気伝導メカニズムと合わせて考察するとA1配線からの影響により多結晶シリコンの結晶粒界に生じている固定電荷密度の低下に起因するバリアハイトの低下による変動と考え得る結果を報告する. |
| 抄録(英) | We have observed resistivity instability in polysilicon resistor which is occured by metal interconnects. This phenomena have suppressed by compensating ion implantation. The resistivity instability determined by only carrier mobility. The temperature dependence of resistivity was measured and the hight of the potential barrier at grain boundaries were obtained from the Arhenius plots. The barrier hight certainly reduces under the Ah over layer. According to the Seto's model, the trapped charge dencity was calculated. It is clearly, that charge detrapping occurs underneath the A1 over layer. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / 薄膜抵抗 / 安定化技術 / イオン注入 |
| キーワード(英) | Polysilicon / Resistor / High Resistivity / Stabilizatoin |
| 資料番号 | SDM-96-82,ICD-96-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/8/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多結晶シリコン抵抗の安定化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stabilization Techniques for High Resistivity Polysilicon Resistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / Polysilicon |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜抵抗 / Resistor |
| キーワード(3)（和/英） | 安定化技術 / High Resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / Stabilizatoin |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山内 経則 / Tsunenori Yamauchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株)第一半導体事業本部 会津若松工場 : 東北大学 工学部 電子工学科 Aizuwakamatsu plant Semiconductor Div.Fujitsu Limited : Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 俊二 / Shunji Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 基板技術研究所 Fujitsu Labolatories Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米澤 岳美 / Takemi Yonezawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学 工学部 電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 余 寧梅 / Ning Nei Yu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学 工学部 電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 柴田 直 / Tadashi Shibata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学 工学部 電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 瀬戸山 孝男 / Takao Setoyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通(株)第一半導体事業本部 会津若松工場 Aizuwakamatsu plant Semiconductor Div.Fujitsu Limited |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学 工学部 電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1996/8/23 |
| 資料番号 | SDM-96-82,ICD-96-102 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 226 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |