| 講演名 | 1996/7/19 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術 関口 知紀, 阪田 健, 藤澤 宏樹, 鳥居 和功, 梶谷 一彦, 木村 勝高, |
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| 抄録(和) | 強誘電体不揮発メモリを実現するにあたって、耐性の向上および消費電力の低減が重要な課題となっている。今回提案した小振幅デー夕線動作方式は、書換耐性を従来の不揮発DRAMに対して3桁程度向上できる。また、倍データ線リコール方式によりアレーの消費電力を従来の3分の1に低減できる。 |
| 抄録(英) | Improved endurance and reduced power consumption are key design issues in implementing ferroelectric nonvolatilc memories. A proposed small data-line-swing read/write scheme improves the write endurance by almost three orders of magnitude. A doubled data-line-capacitance recall scheme reduces the array power in the normal read/write operation to one-third that of the conventional nonvolatile DRAM. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / 不揮発性メモリ / DRAM / 膜疲労 / 小振幅データ線 |
| キーワード(英) | ferroelectric / nonvolatile memory / DRAM / fatigue / small data-line-swing |
| 資料番号 | SDM96-62,ICD96-82 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/7/19(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Circuit Technologies for High-Endurance, Low-Power Nonvolatile DRAMs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 膜疲労 / fatigue |
| キーワード(5)（和/英） | 小振幅データ線 / small data-line-swing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 関口 知紀 / Tomonori Sekiguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阪田 健 / Takeshi Sakata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤澤 宏樹 / Hiroki Fujisawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梶谷 一彦 / Kazuhiko Kajigaya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 木村 勝高 / Katsutaka Kimura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/7/19 |
| 資料番号 | SDM96-62,ICD96-82 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 152 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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