| 講演名 | 1997/1/24 高信頼性銅一マグネシウム合金配線技術 海原 竜, 竹脇 利至, 大見 忠弘, 新田 雄久, |
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| 抄録(和) | LSIの高速化・高集積化に伴って, 配線に流れる電流密度は増大し, 従来のAl合金配線ではその信頼性を長期間維持することが困難となってきている. すでに我々は, 低エネルギイオン照射プロセスを用いて約100μm大のグレイン径を有するジャイアントグレインCu配線を開発しており, Al合金配線と比較して室温で約3桁エレクトロ/ストレスマイグレーション耐性が高いことが分かっている. しかし, ULSIの動作温度において, 電流密度10^7A/cm^2の電流を配線に流した場合, ジャイアントグレインCu配線を用いてもその信頼性を20年間および30年間保証することはできない. Cu配線に代わる新しい配線材料としてCu-Mg(2%)合金に注目し, さらに自己整合表面シリサイド化技術を導入することで前記条件を満たすことができたので報告する. |
| 抄録(英) | With integrated circuit performance and density enhancement, Al-alloy interconnect becomes difficult to maintain its reliability for a long time. We have reported that the giant-grain Cu interconnect formed by Low-energy ion bombardment process exhibits 3 orders of magnitude larger electro/stress migration resistance than conventional Al-alloy interconnect at room temperature. At the operation temperature of LSIs, however, the giant-grain Cu interconnect cannot guarantee its reliability for 20 or 30 years under a large current density condition of 10^7A/cm^2. We have overcome the difficulty by employing Cu-Mg(2%) alloy and the self-aligned surface-silicide passivation technique. |
| キーワード(和) | 低エネルギーイオン照射プロセス / ジャイアントグレインCu配線 / Cu-Mg合金 / 自己整合表面シリサイド化技術 |
| キーワード(英) | Low-energy ion bombardment process / Giant-grain Cu Interconnect / Cu-Mg Alloy Self-aligned surface-silicide passivation technique |
| 資料番号 | SDM96-211 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/1/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高信頼性銅一マグネシウム合金配線技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Reliable Cu-Mg Alloy Interconnect Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低エネルギーイオン照射プロセス / Low-energy ion bombardment process |
| キーワード(2)（和/英） | ジャイアントグレインCu配線 / Giant-grain Cu Interconnect |
| キーワード(3)（和/英） | Cu-Mg合金 / Cu-Mg Alloy Self-aligned surface-silicide passivation technique |
| キーワード(4)（和/英） | 自己整合表面シリサイド化技術 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 海原 竜 / R Kaihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹脇 利至 / T Takewaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / T Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新田 雄久 / T Nitta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | UCT開発研究所 Ultraclean Technology Research Institute |
| 発表年月日 | 1997/1/24 |
| 資料番号 | SDM96-211 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 498 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |