| 講演名 | 1996/12/6 薄層SOI基板における酸化誘起積層欠陥の収縮過程 ジレス ルイ, 国井 泰夫, 泉 勝俊, |
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| 抄録(和) | 熱酸化したSIMOX基板中の積層欠陥の収縮過程を平面TEMと欠陥エッチングで調べた.900-1150℃の酸化では,SIMOX基板中の酸化誘起積層欠陥(OISF)はbulk Si中と同様に酸化時間の増大とともに連続的に成長する.しかし,より高温(>1150℃)ではbulk Siの場合よりもかなり低い温度でOISF収縮過程が起こることがわかった. |
| 抄録(英) | Retrogrowth of stacking faults in thermal oxidized SIMOX substrates was investigated using plan view TEM microscopy and defect etching. It has been observed that, for oxidation temperatures of 900-1150 degrees C, oxidation induced stacking faults (OISFs) are formed and grow continuously with time in a similar way than for bulk silicon. However, at higher temperatures (T> 1150 degrees C) the OISFs undergo a retrogrowth process at noticeably lower temperatures than in bulk silicon. |
| キーワード(和) | SOI / SIMOX / 熱酸化 / 酸化誘起積層欠陥(OISF) / 結晶欠陥 |
| キーワード(英) | SOI / SIMOX Oxidation / Oxidation Induced Stacking Fault (OISF) / Crystalline Defect |
| 資料番号 | SDM96-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/12/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 薄層SOI基板における酸化誘起積層欠陥の収縮過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Retrogrowth of Oxidation Induced Stacking Faults in Thin Silicon-On-Insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | SIMOX / SIMOX Oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 熱酸化 / Oxidation Induced Stacking Fault (OISF) |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化誘起積層欠陥(OISF) / Crystalline Defect |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶欠陥 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ジレス ルイ / Luis Felipe Giles |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 国井 泰夫 / Yasuo Kunii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 泉 勝俊 / Katsutoshi Izumi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 発表年月日 | 1996/12/6 |
| 資料番号 | SDM96-167 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 396 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |