| 講演名 | 1996/12/6 高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程 国井 秦夫, 永瀬 雅夫, 中嶋 定夫, 泉 勝俊, |
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| 抄録(和) | SlMOX基板を1000-1100℃,0.5-2hの高温水素雰囲気中処理した後の表面モフォロジー変化を調べた.AFMによる評価では,高温水素処理後は(10O)SIMOX基板表面に原子レベルのステップ-テラス構造が出現し, また長周期のラフネス低減化も顕著であることがわかった. |
| 抄録(英) | This paper describes the change of the SIMOX substrate surface morphology induced by H_2 annealing at 1000-1100 degrees C for 0.5-2 hours. The morphology of the SIMOX substrate surface was observed by atomic force microscopy (AFM). We found that an atomic step-and-terrace morphology appeared after the annealing of the (1OO)SIMOX substrates in H_2 ambient at 1000-1100 degrees C, and that the surface roughness in large lateral scale was reduced significantly by the annealing. |
| キーワード(和) | SOI / SIMOX / 表面 / 水素アニール / 平坦化 |
| キーワード(英) | SOI / SIMO / Surface / H_2 Annealing / Roughness Reduction |
| 資料番号 | SDM96-166 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/12/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of SIMOX Surface Roughness in High-Temperature H_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | SIMOX / SIMO |
| キーワード(3)（和/英） | 表面 / Surface |
| キーワード(4)（和/英） | 水素アニール / H_2 Annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 平坦化 / Roughness Reduction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 国井 秦夫 / Y. Kunii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永瀬 雅夫 / M. Nagase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中嶋 定夫 / S. Nakashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 泉 勝俊 / K. Izumi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 発表年月日 | 1996/12/6 |
| 資料番号 | SDM96-166 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 396 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |