| 講演名 | 1996/12/6 Siウェーハのライフタイムの温度依存性 田尻 寛享, 伊藤 智尚, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | n型とP型のSi表面に酸化膜を形成したものと酸化膜を形成しなかったものの両方のキャリア再結合ライフタイムの温度依存性を,光導電減衰法で評価した.ライフタイムの温度依存性の測定結果から,ある温度までは,温度が低くなるにつれてライフタイムは小さくなる傾向を示した.これは,再結合中心のエネルギー準位が浅いために生じるものと考えられる. |
| 抄録(英) | Temperature dependence of carrier recombination lifetime of Si wafers is investigated using the photo-conductivity decay method. n and p type wafers with and without an oxide layer are used. The results show that the lifetime decreases as the temperature decreases. This temperature dependence may be due to rather shallow energy levels of the dominant recombination centers. |
| キーワード(和) | Siウェーハ / キャリア再結合ライフタイム / 温度依存性 / 酸化膜 |
| キーワード(英) | Si wafers / carrier recombination lifetime / temperature dependence / oxide layer |
| 資料番号 | SDM96-158 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/12/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siウェーハのライフタイムの温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependence of carrier recombination lifetime in Si wafers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siウェーハ / Si wafers |
| キーワード(2)（和/英） | キャリア再結合ライフタイム / carrier recombination lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化膜 / oxide layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田尻 寛享 / H. TaJiri |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 智尚 / T. Itoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / E. Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/12/6 |
| 資料番号 | SDM96-158 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 396 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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