| 講演名 | 1996/12/5 テトライソシアネートシランを用いたSiO:F膜のプラズマCVD 中神 優子, 澤田 真人, 白藤 立, 林康 明, 西野 茂弘, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | テトライソシアネートシラン(TICS, Si(NCO)_4)を用いたプラズマCVD法によりSiO_2膜の堆積を行った.堆積膜は吸湿性を示し, その原因は腹中へのNCO基の混入であった.原料にO_2添加することにより, NCO混入が抑制され耐湿性が改善された.SiF_4を添加することによりSiO:F膜が堆積された. F濃度が128_ |
| 抄録(英) | SiO_2 films have been prepared from tetraisocyanatesilane(TICS, Si(NCO)_4) by using a plasma CVD method. The films show poor water resistively, which originates in inclusion of NCO in the films. It has been improved by mixing O_2 to the source gas SiO:F films have been prepared by mixing SiF_4. The film with F concentration of 12.8_ |
| キーワード(和) | テトライソシアネートシラン / 低誘電率 / F添加SiO_2膜 / SiF_4 / プラズマ / 層間絶縁膜 |
| キーワード(英) | Tetraisocyanatesilane / Low dielectric constant / F-doped SiO_2 / SiF_4 / Plasma / interlayer dielectric |
| 資料番号 | SDM96-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1996/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | テトライソシアネートシランを用いたSiO:F膜のプラズマCVD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasma CVD of SiO:F Films from Tetraisocyanatesilane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テトライソシアネートシラン / Tetraisocyanatesilane |
| キーワード(2)（和/英） | 低誘電率 / Low dielectric constant |
| キーワード(3)（和/英） | F添加SiO_2膜 / F-doped SiO_2 |
| キーワード(4)（和/英） | SiF_4 / SiF_4 |
| キーワード(5)（和/英） | プラズマ / Plasma |
| キーワード(6)（和/英） | 層間絶縁膜 / interlayer dielectric |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中神 優子 / Yuko NAKAGAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 澤田 真人 / Mahito SAWADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白藤 立 / Tatsuru SHIRAFUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林康 明 / Yasuaki HAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西野 茂弘 / Shigehiro NISHINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1996/12/5 |
| 資料番号 | SDM96-150 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |