| 講演名 | 1996/12/5 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価 今井 崇明, 江利口 浩二, 藤本 晶, 奥山 雅則, |
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| 抄録(和) | 電界変調分光法の一種であるフォトレフレクタンス(PR)分光法を用いて,不純物注入プロセスやプラズマプロセスを経たSi基板に対するPRスペクトルの変化を,ラマンスペクトルと併せて観測した.Asを注入するとSi表面の結晶構造に乱れを生じ,PR信号強度は減少する.また,酸素プラズマプロセスによってもPR信号強度は減少した.これは,基板表面近傍に格子欠陥や局在準位が生成され,表面電界変調の効果を減少させるためと考えられる.また,極薄酸化膜への高電界ストレス印加によるPR信号強度の減少が観測された. |
| 抄録(英) | The Si substrate damage induced by ion implantation and O_2 plasma exposure has been characterlzed by photo reflectance (PR) and Raman spectroscopy. The PR signal intensity of As ion-implanted Si drastically decreases accompanying the structural change of crystal Si. The plasma exposure also reduces the signal intensity accompanying the introduction of oxygen into Si substrate. This result indicates the plasma-induced reduction of surface modulation field at the Si surface. It has been also observed the PR spectrum of M0S structure decreases after the high field application to the oxide. |
| キーワード(和) | フォトレフレクタンス分光法 / ラマン分光法 / イオン注入 / プラズマプロセス / Si0_2/Si界面 |
| キーワード(英) | Photoreflectance / Raman spectroscopy / ion implantation / plasma process / SiO_2/Si interface |
| 資料番号 | SDM96-148 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical Characterization of Si Surface Having Ultrathin Oxide and Plasma-damaged Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトレフレクタンス分光法 / Photoreflectance |
| キーワード(2)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマプロセス / plasma process |
| キーワード(5)（和/英） | Si0_2/Si界面 / SiO_2/Si interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今井 崇明 / Takaaki IMAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering Faculty of Engineering Science, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江利口 浩二 / Koji ERIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Ind. Co , Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤本 晶 / Akira FUJIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 和歌山工業高等専門学校電気工学科 department of Electrical Engineering, Wakayama National College of Technolog |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / Masanori OKUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculry of Engineering Science, Osaka University |
| 発表年月日 | 1996/12/5 |
| 資料番号 | SDM96-148 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |