| 講演名 | 1996/12/5 Siナノ結晶の近赤外発光 竹岡 慎治, 神澤 好彦, 藤井 稔, 林 真至, 山本 恵一, |
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| 抄録(和) | 粒径が2.7～5.5nmのSiナノ結晶を作製し,その発光について研究を行った.室温では近赤外領域(1.4～1.5eV)にのみ発光が観測された.発光ピークは粒子サイズの減少に伴い,高エネルギーシフトし強度が急激に増加した.また,発光ピークは温度の低下とともに高エネルギーシフトした.温度変化に伴うピークシフトの割合はバルク結晶Siのバンドギャップの変化と非常によく一致した.これらのことより,室温で見られた近赤外領域の発光の起源はSiナノ結晶中での電子-正孔の再結合であると考えることができる.低温(150K以下)では低エネルギー側(0.9eV)にも新たに発光が観測された.発光ピークは1.5eV付近の発光ほど強いサイズ依存性を示さなかった.低エネルギー側の発光は,Siナノ結晶とSiO_2マトリックスの界面に存在する,欠陥による深い準位が関与していると考えている. |
| 抄録(英) | Photoluminescence (PL) from Si nanocrystals(2.7-5.5nm) embedded in Si0_2 thin films was stud-led. It was found that Si nanocrystals as small as 3-4nm in diameter exhibit a peak in the near infrared region (1.4-1.5eV). As the size decreased, the PL peak shifted to higher energies and its intensity increased. The temperature dependence of the peak energy was found to be very similar to that of the bulk Si crystal. These suggest that the PL peak arises from the recombination of electrons and holes in Si nanocrystals. At low temperature (<150K), another peak probably associated with the defects at Si-SiO_2 interface was observed at about 0.9eV. |
| キーワード(和) | Siナノ結晶 / 発光 / 近赤外 / 温度依存性 / 量子サイズ効果 / 欠陥準位 |
| キーワード(英) | Si nanocrystals / PL / near-infrared / temperature dependence / quantum size effect / defect level |
| 資料番号 | SDM96-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/12/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siナノ結晶の近赤外発光 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Near-Infrared Photoluminescence from Si Nanocrystals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノ結晶 / Si nanocrystals |
| キーワード(2)（和/英） | 発光 / PL |
| キーワード(3)（和/英） | 近赤外 / near-infrared |
| キーワード(4)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(5)（和/英） | 量子サイズ効果 / quantum size effect |
| キーワード(6)（和/英） | 欠陥準位 / defect level |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹岡 慎治 / S. Takeoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 The Graduate School of Science and Technology, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神澤 好彦 / Y. Kanzawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 The Graduate School of Science and Technology, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 稔 / M Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 The Graduate School of Science and Technology, Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 真至 / S. Hayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 恵一 / K. Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 1996/12/5 |
| 資料番号 | SDM96-142 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 395 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |