| 講演名 | 1996/11/15 選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET 後藤 晶央, 松橋 秀樹, 田嶋 陵, 横山 道央, 益 一哉, 坪内 和夫, |
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| 抄録(和) | 極微細高速MOSFETにおいて、素子の寄生抵抗の低減は必須である。我々は、これまでにDMAHとH_2を用いた選択AI CVD技術を開発しており、この技術を積極的に応用した高速MOSFET構造として"完全自己整合メタライゼーション(F__-ully S__-elf-A__-ligned M__-etalization [FSAM] MOSFET)"を提案している。この特徴は、(1)低コンタクト抵抗TiSi_2形成、(2)自己整合バリア形成、及び(3)選択CVD-AIによる低シート抵抗層形成、を自己整合的に行うプロセスである。今回、自己整合バリア形成法として、新たにN_2plasma処理によるTiSi_2表面の低温窒化技術を導入し、窒化の確認、その後のAIの選択成長、バリア性の有無について検討を行った。 |
| 抄録(英) | Parasitic resistance of Gate/Source/Drain regions degrade the device performance of deep-submicron MOSFET circuits. We have proposed Fully Self-Aligned Metalization (FSAM) MOSFET using selective AI-CVD technology. The features are (1) low TiSi_2/Si contact resistance, (2) AI and TiSi_2 diffusion barrier layer and (3) selective CVD AI layer for low sheet resistance. In this work, we report the self-aligned barrier layer formation using low temperature N_2 plasma nitridation on TiSi_2 surface. |
| キーワード(和) | FSAMMOSFET / 選択AI-CVD / バリア層 / N_2plasma窒化 |
| キーワード(英) | FSAMMOSFET / selective AI-CVD / barrier layer / N_2 plasma nitridation |
| 資料番号 | SDM96-135 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/11/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fully Self-aligned Metalization MOSFET using selective AI CVD technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FSAMMOSFET / FSAMMOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 選択AI-CVD / selective AI-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | バリア層 / barrier layer |
| キーワード(4)（和/英） | N_2plasma窒化 / N_2 plasma nitridation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 晶央 / A. Gotoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松橋 秀樹 / H. Matsuhashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田嶋 陵 / R. Tajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 横山 道央 / Y. Yokoyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 益 一哉 / K. Masu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 坪内 和夫 / K. Tsubouchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Reseach Institute of Electrical Communication, Tohoku university |
| 発表年月日 | 1996/11/15 |
| 資料番号 | SDM96-135 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |