| 講演名 | 1996/11/14 TCADキャリブレーションの問題と統計手法の利用技術 佐藤 久子, 常野 克己, 青山 仁子, 増田 弘生, |
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| 抄録(和) | LSIの開発期間の短縮、開発費の低減を目標としてTCAD(Technology Computer Aided Design)の利用技術を立ち上げてきた。本研究では、TCADの精度向上のために開発してきた方法をもとにしたTCADによるデバイス特性予測方法をまとめた。TCAD利用技術の主な技術は次の3点である。(1)拡散定数データベース、(2)ドレイン電流データベース、(3)統計手法を利用したキャリブレーション。これにより、CMOS用デバイスのばらつき解析において、しきい電圧誤差0.02V以下、ドレイン電流誤差3%以下の予測を可能とした。 |
| 抄録(英) | We have summarized the problems for TCAD calibration methodology. It includes (1) reliability and accuracy of TCAD simulation, (2) global experimental calibration and (3) validity evaluation. To achieve the accurate prediction, we have developed new diffusion model. The simulated maximum drain currents have been calibrated with the device database. A TCAD calibration has been proposed to obtain the precise prediction of a sub-micron CMOS process and device design. In the Hierarchical Response Surface Method (HRSM), a RSF (Response Surface Function) was used to globally calibrate TCAD results using the experimental data. |
| キーワード(和) | TCAD / 半導体素子 / 統計手法 |
| キーワード(英) | TCAD / Semiconductor device / Statistical Method |
| 資料番号 | SDM96-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/11/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADキャリブレーションの問題と統計手法の利用技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Problems for TCAD Calibration and the Application of Statistical Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体素子 / Semiconductor device |
| キーワード(3)（和/英） | 統計手法 / Statistical Method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久子 / Hisako Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 常野 克己 / Katsumi Tsuneno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青山 仁子 / Kimiko Aoyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 弘生 / Hiroo Masuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/11/14 |
| 資料番号 | SDM96-123 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |