| 講演名 | 1998/2/19 ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価 河合 邦浩, 牛木 健雄, 余謨群, 篠原 壽邦, 森田 瑞穂, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | タンタルゲートMOSダイオードの電気的特性から、タンタルをスパッタリング法により成膜した時きに、ゲート酸化膜中に誘起されるダメージを評価した。Arプラズマに代わりXeプラズマを採用することで、ゲート酸化膜の絶縁破壊電界が8.1MV/cmから12.3MV/cmへと向上した。また、イオン照射エネルギーを42eVから22eVへと低減することで、ゲート酸化膜の定電流ストレス試験における絶縁破壊に至る注入電荷量が、0.8C/cm^2から4.2C/cm^2へと向上した。 |
| 抄録(英) | Plasma induced damage of gate insulator is shown by the electric characteristics of tantalum (Ta) gate MOS diode. The field to breakdown (E_BD) of 12.3MV/cm can be obtained by using Xe plasma instead of Ar plasma. Low bombardment-ion-energy process increases the value of charge to breakdown (Q_BD). |
| キーワード(和) | タンタルゲート / プラズマダメージ / スパッタリング |
| キーワード(英) | Tantalum gate / Plasma induced damage / Sputtering |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasm Induced Damage of Gate SiO_2 during Sputtering Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タンタルゲート / Tantalum gate |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマダメージ / Plasma induced damage |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河合 邦浩 / Kunihiro Kawai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牛木 健雄 / Takeo Ushiki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 余謨群 / Mo-Chiun Yu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 篠原 壽邦 / Toshikuni Shinohara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森田 瑞穂 / Muzuho Morita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Depatment of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |