| 講演名 | 1998/2/19 SOI構造における重イオン誘起電荷の測定 平尾 敏雄, 塩野 登, 穴山 汎, 根本 規生, 梨山 勇, 大西 一功, 松田 純夫, |
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| 抄録(和) | 1ミクロンまでビームを絞り込むことのできる重イオンマイクロビームと広帯域サンプリングシステムで構築した測定システムを用いて、SOIシリコンpn接合ダイオードで発生するシングルイベント過渡電流の波形測定を行った。15MeVの炭素および酸素イオンが入射する時に収集される電荷量とSOI層内で発生する電荷量とは良く一致する結果が得られた。 |
| 抄録(英) | Using focused high-energy ion-microbeams and a ultra-wide bandwidth measurement system, we performed waveform measurements of transient current induced by heavy ions in a silicon-on-insulator device (SOI). We have obtained detailed information about the charge collection mechanism of SOI devices. Total collected charge and a collection charge-length agree well with theoretical values. |
| キーワード(和) | SOI / シングルイベント / 重イオン / マイクロビーム / 過渡電流波形 / SEU |
| キーワード(英) | SOI / microbeam / single-event / SEU / transient-current |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI構造における重イオン誘起電荷の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Collected Charge Induced by Heavy Ion Microbeam in SOI Devices. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | シングルイベント / microbeam |
| キーワード(3)（和/英） | 重イオン / single-event |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロビーム / SEU |
| キーワード(5)（和/英） | 過渡電流波形 / transient-current |
| キーワード(6)（和/英） | SEU |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平尾 敏雄 / Toshio Hirao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電子力研究所 Japan Atomic Energy Research Institute |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 塩野 登 / Noboru Shiono |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電子部品信頼センター Reliability Center for Elctronic Components of Japan |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 穴山 汎 / Hiroshi Anayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電子部品信頼センター Reliability Center for Elctronic Components of Japan |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 根本 規生 / Norio Nemoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梨山 勇 / Isamu Nashiyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電子力研究所 Japan Atomic Energy Research Institute |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大西 一功 / Kazunori Ohnishi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Department of Elctronic Engineering, Collage of Science & Technologym, Nihon University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松田 純夫 / Sumio Matsuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |