| 講演名 | 1998/2/19 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察 佐竹 秀喜, 鳥海 明, |
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| 抄録(和) | Fowler-Nordheim(F-N)ストレス印加での、薄いシリコン酸化膜(SiO_2)の絶縁破壊機構とストレス誘起電流(Stress-induced Leakage Current, SILC)生成の起源に関して議論する。ここでは、薄いSiO_2の絶縁破壊との密接な関係が予想される正孔生成の起源、正孔やSILC生成のしきい値エネルギ、および、絶縁破壊に至るまでの膜中通過総電子量(Qbd)や総正孔量(Qp)の温度依存性から得られる活性化エネルギの値を基礎にして構築した、SiO_2の絶縁破壊やSILC生成に関するモデルを紹介する。さらに、EEPROMをはじめとする不揮発性メモリで特に深刻な問題となっている、絶縁破壊のストレス極性依存性の起源に関しても言及する。 |
| 抄録(英) | We discuss the dielectric breakdown mechanism of SiO_2 and the origin of the stress-induced leakage current (SILC), under Fowler-Nordheim (F-N) electron injection. We have measured the threshold energy (εth) of the generation of holes and SILC, the temperature dependence of the charge-to-breakdown (Qbd) and the total hole fluence to dielectric breakdown (QP), in order to discuss the SiO_2 dielectric breakdown mechanism and the origin of SILC. On the basis of the obtained εth and the activation energy (Ea) of the temperature dependence of Qbd, we propose the models for SiO_2 dielectric breakdown and for SILC generation. Moreover, it has been discussed on the origin of the stressing polarity dependence of Qbd, which is one of the most serious problems especially in the nonvolatile memories. |
| キーワード(和) | シリコン酸化膜 / 絶縁破壊 / ストレス誘起リーク電流(SILC) / Qbd / Qp |
| キーワード(英) | Silicondioxide(SiO_2) / Dielectric Breakdown / Stress-induced Leakage / Current (SILC) / Qbd / Qp |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On the Degradation Mechanisms of Thin SiO_2 under Fowler-Nordheim Electron Injection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸化膜 / Silicondioxide(SiO_2) |
| キーワード(2)（和/英） | 絶縁破壊 / Dielectric Breakdown |
| キーワード(3)（和/英） | ストレス誘起リーク電流(SILC) / Stress-induced Leakage |
| キーワード(4)（和/英） | Qbd / Current (SILC) |
| キーワード(5)（和/英） | Qp / Qbd |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐竹 秀喜 / Hideki Satake |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Labs., TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / Akira Toriumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Labs., TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |