| 講演名 | 1998/2/19 部分空乏型SOI MOSFETの過渡応答を用いたサブバンドギャップインパクトイオン化電流の高感度測定法 更屋 拓哉, 高宮 真, トラン・ゴック デュエト, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 低消費電力化に向けた薄膜SOIデバイスの応用には、低電圧領域における基板浮遊効果、特にシリコンのサブバンドギャップ領域におけるインパクトイオン化の影響の解明が急務である。しかし、これまでの直接ボディ電流を測定する方法ではその電流感度に律則されるという問題があった。本研究では部分空乏型SOI MOSFETを用いて、その過渡応答からインパクトイオン化電流を高感度に測定する方法を開発した。その結果、従来の直接ボディ電流を測定する方法と非常に良い一致を示し、さらにサブバンドギャップ領域においてより高感度な測定が可能となり、50fA以下という非常に微小なインパクトイオン化電流のモニタに成功した。 |
| 抄録(英) | We have developed a novel, sensitive measurement technique for the sub-bandgap impact ionization current in scaled metal-oxide-semiconductor field effect trasistors (MOSFETs). In this technique, partially depleted silicon on insulator MOSFETs is utilized where the floating body potential is gradually charged by the impact ionization current. The transient increase of the body potential causes a decrease in the threshold voltage due to the body effect, resulting in transient increase in the drain current. The derived impact ionization current is in good agreement with the direct current measurement. Furthermore, the new measurement technique is very sensitive even in the sub-bandgap region and measurements of less than 50fA are demonstrated. |
| キーワード(和) | MOSFET / サブバンドギャップインパクトイオン化 / 部分空乏型SOI / トランジェット測定 / 基板浮遊効果 |
| キーワード(英) | MOSFET / Sub-bandgap Impact Ionization / Partially Depleted SOI / Transient Measurement / Floating Body Effect |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 部分空乏型SOI MOSFETの過渡応答を用いたサブバンドギャップインパクトイオン化電流の高感度測定法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New Measurement Technique for Sub-Bandgap Impact Ionization Current by Transient Characteristics of Partially Depleted SOI MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンドギャップインパクトイオン化 / Sub-bandgap Impact Ionization |
| キーワード(3)（和/英） | 部分空乏型SOI / Partially Depleted SOI |
| キーワード(4)（和/英） | トランジェット測定 / Transient Measurement |
| キーワード(5)（和/英） | 基板浮遊効果 / Floating Body Effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / Takuya SARAYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Educational Center, Univ. of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高宮 真 / Makoto TAKAMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Educational Center, Univ. of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | トラン・ゴック デュエト / Ngoc DUYET Tran |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Educational Center, Univ. of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Educational Center, Univ. of Tokyo |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |