| 講演名 | 1998/2/19 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性 平山 敬三, 舟木 英之, 山口 好広, 中川 明夫, |
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| 抄録(和) | SOIダイオードの逆回復時間は1チップインバータICのパワー損失の低減の上で重要である。そこで、ダイオードのアノード構造を変えてpエミッタからのホールの注入効率を低減させることにより逆回復時間を速くしたSOIダイオードを3種類提案した。その中で最も効果的であったのは、p型層にp+層を部分的に設け、p-ショットキーとオーミックを同時に形成したアノード構造(p-/p+ diode)のダイオード素子で逆回復時間200ns以下で逆回復耐量3A以上の逆回復特性を得ることができた。これにより、パワー損失の少ない1チップインバータICの実現の見通しが得られた。 |
| 抄録(英) | It is improtant to realize high voltage high speed SOI free wheeling diodes to reduce power loss in 500V 1chip inverter ICs. We proposed and examined three kinds of anode emitter efficiency controlled SOI diodes, which achieved fast reverse reconvery by modifying anode emitter structure. We found that the best anode structure is a low impurity p diffusion layer for schottky contact with selectively diffused p+ regions in the p diffusion layer for ohmic contact (p-/p+ diode). The develped 1A rated diodes achieves less thatn 200nsec reverse recovery time and 3A switching capability. |
| キーワード(和) | インバータIC / SOI / ダイオード / 逆回復特性 |
| キーワード(英) | Inverter IC / SOI / Diode / Reverse recovery characteristics |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reverse recovery characteristics of SOI lateral high speed diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インバータIC / Inverter IC |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | ダイオード / Diode |
| キーワード(4)（和/英） | 逆回復特性 / Reverse recovery characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平山 敬三 / Keizo Hirayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Device Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 舟木 英之 / Hideyuki Funaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Device Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 好広 / Yoshihiro Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Device Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中川 明夫 / Akio Nakagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Device Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |