| 講演名 | 1998/2/19 横型SOI Diodeの各種アノード構造によるリカバリ特性改善 延藤 慎治, 渡部 毅代登, 秋山 肇, 日根 史郎, |
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| 抄録(和) | 横型DiodeをSOI基板上に試作し、リカバリ特性を評価した。Diodeは3種類のアノード構造を用意した。内訳はconventional、emitter shorted、Trasparentである。emitter shortedはリカバリ時にアノード側で寄生バイポーラが動作し破壊する。Transparentはconventionalに比べリカバリ電流を約半分に低減でき、スイッチングロス低減に有効であることを見いだした。併せてリカバリ電流の温度依存性を評価した。 |
| 抄録(英) | For analysis of reverse recovery characteristics in lateral SOI diodes, three different anode structures have been prepared; a conventional type, an emitter-shorted type, and a transparent anode type. It is found that the emitter-shorted diode structure is easily destroyed in reverse recovery transient operation because of a parasitic npn transistor action around the anode region. The reverse recovery current in the trasparent anode diode structure is found to be half that of the conventional structure. Also, this reverse recovery current has shown virtually no temperature dependency. Thus, the overall reverse recovery current characteristic including switching loss has been remarkably improved. |
| キーワード(和) | SOI / 横型Diode / 高耐圧 / Transparent / ホール注入 / Anode構造 |
| キーワード(英) | SOI / Lateral diode / High voltage / Transparent / Hole injection / Anode structure |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/2/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 横型SOI Diodeの各種アノード構造によるリカバリ特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Reverce Recovery Characteristics in Lateral SOI Diodes with Various Anode Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | 横型Diode / Lateral diode |
| キーワード(3)（和/英） | 高耐圧 / High voltage |
| キーワード(4)（和/英） | Transparent / Transparent |
| キーワード(5)（和/英） | ホール注入 / Hole injection |
| キーワード(6)（和/英） | Anode構造 / Anode structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 延藤 慎治 / Shinji Nobuto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部 Semiconductor Product Engineering Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡部 毅代登 / Kiyoto Watabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部 Semiconductor Product Engineering Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋山 肇 / Hajime Akiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部 Semiconductor Product Engineering Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 日根 史郎 / Shiro Hine |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部 Semiconductor Product Engineering Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1998/2/19 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |