| 講演名 | 1998/1/23 フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成 福田 琢也, 細川 隆, 佐々木 英二, 小林 伸好, |
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| 抄録(和) | P-TEOSよりも吸湿性が少なく、高い耐水性を有する低誘電率のSiOF膜が得られた。膜形成には、水素を生成する系を用いた。一つは安定なプリカーサであるSiF_2と水素を生成する、SiF_2H_2を用いた方法である。このプロセスでは誘電率が3.3の安定なSiOF膜が得られる。もう一つは従来のSiF_4にSiH_4を混合させた方法である。この方法では、誘電率は3.6であるが低コストで安定なSiOF膜が得られる。両プロセスをデバイスに適用して、デバイス特性の劣下がないことを確認した。 |
| 抄録(英) | Highly stable SiOF films that have a low ε and fewer O-H bonds and higher permeability tolerance than P-TEOS are formed using a conventional apparatus. Films were produced using processes that generate hydrogen species. One, a SiF_2H_2 process which generates a very stable precursor, SiF_2, produces very stable SiOF with ε=3.3. The other, amixing process of SiF_4 and SiH_4, gives very stable SiOF (ε=3.6) at a low cost. Both processes were successfully applied to the intermetal dielectrics of a 0.35mm device without causing electrical degradation in the MOS characteristics. |
| キーワード(和) | CVD / SiOF / 低誘電 / SiF_2H_2 / SiF_4 / 吸湿性 / 透水性 |
| キーワード(英) | CVD / SiOF / low-k / SiF_2H_2 / SiF_4 / hygroscopy / permeability |
| 資料番号 | SDM97-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/1/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Reliable SiOF Film Formation by HDP-CVD Using Fluorosilanes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(2)（和/英） | SiOF / SiOF |
| キーワード(3)（和/英） | 低誘電 / low-k |
| キーワード(4)（和/英） | SiF_2H_2 / SiF_2H_2 |
| キーワード(5)（和/英） | SiF_4 / SiF_4 |
| キーワード(6)（和/英） | 吸湿性 / hygroscopy |
| キーワード(7)（和/英） | 透水性 / permeability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 琢也 / T. Fukuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所.半導体事業部.半導体技術開発センタ Semiconductor Technology Development Center, Semiconductor & Integrated Circuits Div., Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 細川 隆 / T. Hosokawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所.半導体事業部.半導体技術開発センタ Semiconductor Technology Development Center, Semiconductor & Integrated Circuits Div., Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 英二 / E. Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング Hitachi ULSI Engineering Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 伸好 / N. Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所.半導体事業部.半導体技術開発センタ Semiconductor Technology Development Center, Semiconductor & Integrated Circuits Div., Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/1/23 |
| 資料番号 | SDM97-180 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 508 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |