講演名 1997/9/26
中間モデルを用いたMOSFETの統計的モデル化手法
近藤 正樹, 小野寺 秀俊, 田丸 啓吉,
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抄録(和) 本論文では, MOSトランジスタの性能ばらつきを簡便に測定, 定量的にモデル化するための一手法を提案する. 本手法の特徴は, 性能ばらつきの根本的な原因となる, 高々5つの物理パラメータのばらつきをまずモデル化した上で(これを中間ばらつきモデルと呼ぶ), パラメータ変換によりSPICE統計モデルを生成する点にある. 各物理パラメータは少数の測定データから解析的に抽出できる. パラメータ変換は線形変換によって行われ, 多くのSPICEモデルに対して容易に適用できる. また, 異なるSPICEモデルで同一の統計情報を共有することができる. 0.3μmCMOSプロセスにおけるトランジスタの性能ばらつきを, 最新のBSIM3v3モデルを使ってモデル化した実験結果を示し, 本手法の有効性を検証する.
抄録(英) We propose a new statistical modeling approach for deeply scaled MOSFETs. Our method is based on an intermediate model which consists of basic physical equations and parameters. In the first step, variations of 5 essencial physical parameters are modeled using the intermediate model. Then, SPICE statistical models are generated with linear transformation from the process parameters to the SPICE model parameters. The two distinctive advantages of the procedure are the high applicability to SPICE models and the consistency of statistical characteristics among different SPICE models. We have verified the method using a real variation data of a 0.35μm CMOS process.
キーワード(和) MOSFET / 統計モデル / 統計的モデル化 / 中間モデル
キーワード(英) MOSFET / statistical model / statistical modeling / intermediate model
資料番号 SDM97-130
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1997/9/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 中間モデルを用いたMOSFETの統計的モデル化手法
サブタイトル(和)
タイトル(英) MOSFET Statistical Modeling Method Using an Intermediate Model
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET
キーワード(2)(和/英) 統計モデル / statistical model
キーワード(3)(和/英) 統計的モデル化 / statistical modeling
キーワード(4)(和/英) 中間モデル / intermediate model
第 1 著者 氏名(和/英) 近藤 正樹 / Masaki Kondo
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
Department of Electronics and Communication, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
Department of Electronics and Communication, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 田丸 啓吉 / Keikichi Tamaru
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
Department of Electronics and Communication, Kyoto University
発表年月日 1997/9/26
資料番号 SDM97-130
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 273
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日