| 講演名 | 1997/9/26 マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化 和智 勇治, 谷沢 元昭, 石川 清志, 西村 正, |
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| 抄録(和) | 回路シミュレーション高速化のためのマクロモデルを用いた回路シミュレータを開発した. マクロモデルでは, 論理ゲートレベルに回路分割されたサブブロック回路ごとの線形微分方程式を導出し, これを解析的に解く. この線形微分方程式は, MOSFETモデルを構成する素子をすべてを考慮しているので, サブブロック回路の過渡解析を正確に計算できる. また回路方程式を解く際, 行列演算やニュートン法を用いた収束演算を行わないため, 従来の回路シミュレーションにくらべ高速に計算することが可能である. ここではマクロモデルを用いた過渡解析を行い, このモデルの妥当性と計算速度の高速化を確認した. |
| 抄録(英) | We developed a computationally-efficient circuit simulator using macromodel. In this model, a whole circuit is partitioned into subcircuits which can be expressed using ordinary differential equations(ODEs), and can be solved analytically. The ODEs are constructed considering all the elementes in the cdmpact model for MOSFET's in the subcircuits. The method with macromodel can simulate circuits several times faster than conventional method to obtain dame accuracy. The advantage is enhanced with increasing circuit size. |
| キーワード(和) | 回路シミュレーション / 回路分割 / マクロモデル / 線形微分方程式 |
| キーワード(英) | circuit simulation / circuit partitioning / macromodel / ordinary linear differential equation |
| 資料番号 | SDM97-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Fast Circuit Simulation Using Macromodel |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 回路シミュレーション / circuit simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 回路分割 / circuit partitioning |
| キーワード(3)（和/英） | マクロモデル / macromodel |
| キーワード(4)（和/英） | 線形微分方程式 / ordinary linear differential equation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和智 勇治 / Yuji Wachi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷沢 元昭 / Motoaki Tanizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 清志 / Kiyoshi Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西村 正 / Tadashi Nishimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | SDM97-126 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |