| 講演名 | 1997/9/26 コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析 黒澤 直人, 堀尾 和重, |
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| 抄録(和) | AlGaAs/GaAsコレクタアップHBTの遮断周波数(f_T)特性の2次元シミュレーションを行い, いわばキャリアブロッキング効果によるf_Tの劣化現象について検討した. その結果, べース電極を真性コレクタに近づけることによりブロックされたキャリアが吸収されf_Tの劣化を抑制できることがわかった. ただし, ペース電流増大による増幅率の劣化を伴う. また, 表面準位の存在がf_Tに与える影響を調べた. その結果, 表面準位層にキャリアが流れ込むことに起因したキャリア蓄積現象を生じ, べース遅延時間の増大, f_Tの著しい劣化を招くことがわかった. これらの現象を避け高いf_Tと増幅率を維持するには, コレクタ幅をエミッタ幅よりかなり広くとる必要があることがわかった. |
| 抄録(英) | We have made two-dimensional simulation of cutoff frequency f_T characteristics of collector-up AlGaAs/GaAs HBTs and studied so-called carrier blocking effects that lead to the degradation of f_T. It is found that by setting the base electrode closer to the intrinsic collector, the blocked carriers can be absorbed by the electrode and the degradation of f_T is somewhat suppressed. However, the current gain is found to be heavily degraded. We have also studied effects of surface states on the f_T characteristics of collector-up HBTs. It is found that carrier accumulation phenomenon occurs due to the carrier flowing into the surface-state layer in the base, leading to the long base-delay time and the very low f_T. It is concluded that to avoid the above unfavorable phenomena and to maintain high f_T and current gain, the collector width must be rather wider than the emitter width. |
| キーワード(和) | ガリウムひ素 / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / コレクタアップ / 遮断周波数 / キャリア / ブロッキング表面単位 / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | GaAs / HBT / collector-up / cutoff frequency / carrier-blocking / surface state / device simulation |
| 資料番号 | SDM97-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Analysis of Carrier-Blocking Effects and Surface-State Effects on Cutoff Frequency Characteristics of Collector-Up HBTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガリウムひ素 / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / HBT |
| キーワード(3)（和/英） | コレクタアップ / collector-up |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア / carrier-blocking |
| キーワード(6)（和/英） | ブロッキング表面単位 / surface state |
| キーワード(7)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒澤 直人 / N. Kurosawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / K. Horio |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | SDM97-120 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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