| 講演名 | 1997/9/25 デバイスシミュレータの収束性とSOIMOSFETフローティングボデイ効果 斉藤 猛, 鳥谷部 達, |
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| 抄録(和) | デバイスシミュレーションには, 収束性の点でみても幾つかの問題が残っている. 本稿では, その問題の1つであるSOIMOSFETフローテイングボデイ効果をシミュレーションするのために5つの手法を導入し, 収束性向上を計ったテバイスシミュレータを作成したので報告する. また, 実際にこのデバイスシミュレータを用いてSOIMOSFETフローテイングボデイ効果のシミェレーションを行なった. フローティングボディ効果のシミュレーションにおいて, イオン化率の割合(衝突電離)の方程式をNewton法において線形化する事により飛躍的に収束性が向上するという結果を得た. |
| 抄録(英) | There still remain some convergence problems in device simulation. By improving the convergence of computation, floating body effect in SOIMOSFET have been successfully simulated. Linearization of the impact ionization rate term in the Newton iteration is essential for the convergence. |
| キーワード(和) | シミュレーション / SOIMOSFET / フローティングボディ効果 / 収束性 / イオン化率 |
| キーワード(英) | Simulation / SOIMOSFET / Floating body effect / Convergence / Ionization rate |
| 資料番号 | SDM97-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デバイスシミュレータの収束性とSOIMOSFETフローティングボデイ効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Convergence of a Device Simulation and Floating Body Effect of SOIMOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| キーワード(2)（和/英） | SOIMOSFET / SOIMOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | フローティングボディ効果 / Floating body effect |
| キーワード(4)（和/英） | 収束性 / Convergence |
| キーワード(5)（和/英） | イオン化率 / Ionization rate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 猛 / T. Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東洋大学工学部情報工学科 Department of Information and Computer Sciences, Toyo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鳥谷部 達 / T. Toyabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東洋大学工学部情報工学科 Department of Information and Computer Sciences, Toyo University |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | SDM97-117 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |