| 講演名 | 1997/9/25 CCD基本特性自動解析シミュレータの開発 立川 景士, 梅田 卓也, 岡田 裕幸, 小田 嘉則, 大原 完治, |
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| 抄録(和) | プロセスシミュレーションの結果から, CCD固体撮像素子の基本となる電気特性を完全自動で解析できるCCD基本特性自動解析シミュレータを開発した. 本シミュレータにより, 専門家でないデバイス設計者でも, 素子特性の予測シミュレーションが, 簡単に, 且つ従来時間比 約1/10程度で実現可能になった. また, デバイス開発初期段階で, 短時間に詳細な素子設計を行うことができるので, CCD固体撮像素子の高性能化を短期間に実現できる. |
| 抄録(英) | An automatic simulation system has been developed to analyze automatically basic electric characteristics of CCD image sensor from a process simulation result. By using this system, the total operation and simulation time for device designer with an unfamiliar device simulation has been reduced to about 1/10. Since the system can be performed a detailed device design quickly in the initial stage of development, high performance CCD image sensor can be realized in a short period of time. |
| キーワード(和) | シミュレータ / 自動解析 / デバイスシミュレーション / CCD / 素子設計 / 読み出し特性 |
| キーワード(英) | simulator / automatic analysis / device simulation / Charge Coupled Device / device design / read-out characteristics |
| 資料番号 | SDM97-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CCD基本特性自動解析シミュレータの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Automatic Simulation System for Basic CCD Characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シミュレータ / simulator |
| キーワード(2)（和/英） | 自動解析 / automatic analysis |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | CCD / Charge Coupled Device |
| キーワード(5)（和/英） | 素子設計 / device design |
| キーワード(6)（和/英） | 読み出し特性 / read-out characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 立川 景士 / Keishi Tachikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梅田 卓也 / Takuya Umeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター:(現)松下電器産業(株)半導体先行開発センター:(現)松下電子(株)マイコン事業部 ULSI Process Technology Center, Matsushita Electronics Corporation:(Present adress)Semiconductor Advanced LSI Technology Development Center, Matsushita Electric Industrial |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 裕幸 / Hiroyuki Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Center, Matsushita Electronics Corporation:(Present adress)Micro Computer Division, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 嘉則 / Yoshinori Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大原 完治 / Kanji Ohara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/25 |
| 資料番号 | SDM97-109 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |