| 講演名 | 1997/8/26 誘導結合型プラズマを用いた高選択酸化膜エッチング 林 重徳, 山中 通成, 久保田 正文, |
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| 抄録(和) | マルチスパイラルコイル(MSC)を用いた誘導結合プラズマ(ICP)による酸化膜エッチングについて、レーザ誘起蛍光法(LIF)によるCFx(x=1, 2)ラジカル計測結果をもとに研究した。CF4、CHF3、C4F8ガス系に関して、MSC-ICPにおけるラジカルの基本的振る舞いと酸化膜エッチング特性の相関を検討した。さらに、高選択比を達成する上で有力視されている2つの方法、すなわち、チャンバー壁の昇温とパルス変調について検討した。観測された高選択比比の機構をラジカルの解離・消滅過程への影響から議論する。 |
| 抄録(英) | Silicon dioxide etching in an inductively coupled plasma (ICP) using a multispiral coil (MSC) has been studied on the basis of CFx(x=1, 2) radical measurement employing a laser-induced fluorescence (LIF) technique. Fundamental radical behaviors in the MSC-ICP have been investigated in relation to the SiO2 etching characteristics for CF4, CHF3 and C4F8 gas chemistries. Moreover, two promising methods to achieve highly selective SiO2 etching, namely, chamber wall heating and pulse modulation have been examined. The resultant high selectivity is discussed in relation to the radical composition change through dissociation and extinction kinetics. |
| キーワード(和) | 誘導結合型プラズマ / レーザ誘起蛍光法 / ラジカル / 選択比 |
| キーワード(英) | Inductively coupled plasma / laser-induced fluorescence / radical / selectivity |
| 資料番号 | SDM97-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 誘導結合型プラズマを用いた高選択酸化膜エッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Inductively Coupled Plasma for Highly Selective SiO2 Etching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 誘導結合型プラズマ / Inductively coupled plasma |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ誘起蛍光法 / laser-induced fluorescence |
| キーワード(3)（和/英） | ラジカル / radical |
| キーワード(4)（和/英） | 選択比 / selectivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 重徳 / Shigenori Hayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山中 通成 / Michinari Yamanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 久保田 正文 / Masafumi Kubota |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-102 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |