| 講演名 | 1997/8/26 異方性エッチングによる高精度シリコン極微細構造作製プロセス 斉藤 健一, 石黒 仁揮, 向山 俊和, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 単一電子デバイスに要求されるような極微細な構造を、EBを使わずに作製する技術が求められている。本研究では、SOI基板に異方性エッチングを用い、加工寸法がフォトリソグラフィーによらず、SOI膜厚のみで決定されるプロセスを開発した。さらに、異方性エッチングのマスクとしてSiO_2膜とSiN膜の多層膜をうまく用いることにより、数十nmレベルの平面構造を、非常に高精度に制御しつつ作製することが可能となった。 |
| 抄録(英) | It is strongly required to establish the fabrication techniques of very small structures such as single electron devices without using EB lithography. In this study, we have developed the fabrication process of very small structures beyond the lithography limit using SOI wafer and anisotropic etching. In this process, the size of structures is determined only by the thickness of the SOI layer. Moreover, using SiN film and SiO_2 film, we have fabricated as small as several tens of nano-meter structures with high controllability. |
| キーワード(和) | Si極微細構造 / Si細線 / SOI基板 / 異方性エッチング |
| キーワード(英) | Si nano structures / Si wire / SOI wafer / anisotropic etching |
| 資料番号 | SDM97-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 異方性エッチングによる高精度シリコン極微細構造作製プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly controlled fabrication process of Si nano structures using anisotropic etching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si極微細構造 / Si nano structures |
| キーワード(2)（和/英） | Si細線 / Si wire |
| キーワード(3)（和/英） | SOI基板 / SOI wafer |
| キーワード(4)（和/英） | 異方性エッチング / anisotropic etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 健一 / Kenichi SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, Univ. of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石黒 仁揮 / Hiroki ISHIKURO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, Univ. of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 向山 俊和 / Toshikazu MUKAIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, Univ. of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Institute of Industrial Science, Univ. of Tokyo:VLSI Design and Educational Center, Univ. of Tokyo |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-101 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |