| 講演名 | 1997/8/26 EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法 徳永 賢一, 中島 謙, 小島 義克, 小野田 中, 野末 寛, |
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| 抄録(和) | 電子線(EB)直描技術の実用化には光リソグラフィ技術とのハイブリッド技術が不可欠であると考えられる。EB直描と光リソグラフィのハイブリッドでは、両者の重ね合わせ精度を確保するために光学式ステッパのレンズディストーションを主原因とするチップ内の位置ずれをEB直描装置により補正する必要が生じている。本研究において、レンズディストーションを高次多項式近似する事により位置ずれの補償データを作成し、EB直描フォーマットデータの変換の際にパターンデータに重畳する補正方法を開発した。本補正方法をフルスケールDRAMチップ(20×10mm)におけるi線ステッパとのハイブリッドに適用したところ、重ね合わせ精度は0.08μm (|平均|+3σ)から0.05μm以下に向上した。 |
| 抄録(英) | For practical use of Electron beam (EB) direct writing, a hybrid technique with optical lithography is indispensable, To obtain sufficient overlay accuracy in the hybrid lithography, the registration error, which was mainly caused by lens distortion of the optical stepper, must be corrected by EB direct writing machine. In this report, we propose an improved overlay correction method for the hybrid lithography with approximation to a higher-order polynomial. With this method, overlay accuracy of less than 0.05μm (|mean|+3σ) was obtained in a whole region of the full-scale DRAM chip (20×10mm) without reconstruction of the EB direct writing system. |
| キーワード(和) | EB直描 / 光リソグラフィ / ハイブリッド / 高次多項式近似 / 重ね合わせ精度 |
| キーワード(英) | EB direct writing / optical lithography / hybrid lithography / approximation to a higher-order polynomial / overlay accuracy |
| 資料番号 | SDM97-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Higher-Order Overlay Correction Method for Hybrid Lithography between EB Direct Writing and Optical Lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | EB直描 / EB direct writing |
| キーワード(2)（和/英） | 光リソグラフィ / optical lithography |
| キーワード(3)（和/英） | ハイブリッド / hybrid lithography |
| キーワード(4)（和/英） | 高次多項式近似 / approximation to a higher-order polynomial |
| キーワード(5)（和/英） | 重ね合わせ精度 / overlay accuracy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳永 賢一 / K. Tokunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中島 謙 / K. Nakajima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小島 義克 / Y. Kojima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小野田 中 / N. Onoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野末 寛 / H. Nozue |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-100 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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