| 講演名 | 1997/8/26 大口径400mm結晶の開発 山岸 浩利, 蔵本 誠, 白石 裕, 町田 倫久, 高野 清隆, 高瀬 伸光, 飯田 哲広, 松原 順一, |
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| 抄録(和) | スーパーシリコン研究所は1996年3月に超大口径シリコンウェ-ーハ生産の要素技術の確立を目的として設立された。研究期間は約5年で、研究費総額は134億円を予定している。研究開発項目は、4G DRAM相当以上のULSIデバイスを想定したシリコン単結晶成長、ウェーハ製造技術およびシリコンエピタキシャル成長技術である。現行シリコンウェーハの主力サイズは200mmであり、2000年前後には300mmが採用される。SSiの設立目的は、ポスト300mmの超大口径シリコンウェーハ生産の要素技術を目的としたもので、400mmウェーハをターゲットとしている。本報告では、SSiにおいて先行して開発を進めている結晶成長技術を主体にして技術開発目標と課題について述べる。 |
| 抄録(英) | Japan Key Technology Center and seven Japanese silicon wafer manufactures jointly founded Super Silicon Crystal Research Institute Corp. (SSi) on March in 1996. SSi continues its activity up to January in 2001 and devotes itself to a technological establishment of silicon wafers having a super large diameter of 400 mm. Such silicon wafers will be used to) manufacture gigabit-class semiconductor devices. Main issue of SSi is the establishment of the key technologies of manufacturing silicon wafers having a diameter of 400 mm. We show a time table of our activity and discuss the several key technologies to achieve the targets for CZ crystal growth. |
| キーワード(和) | シリコン / 大口径 / 結晶成長 / ウェーハ / スーパーシリコン / 結晶保持 |
| キーワード(英) | Silicon / Large diameter / Crystal growth / Wafer / Super silicon / Crystal suspending |
| 資料番号 | SDM97-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大口径400mm結晶の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of CZ crystal growth having Super large diameter. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 大口径 / Large diameter |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶成長 / Crystal growth |
| キーワード(4)（和/英） | ウェーハ / Wafer |
| キーワード(5)（和/英） | スーパーシリコン / Super silicon |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶保持 / Crystal suspending |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山岸 浩利 / H. Yamagishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 蔵本 誠 / M. Kuramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白石 裕 / Y. Shiraishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 町田 倫久 / N. Machida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高野 清隆 / K. Takano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高瀬 伸光 / K. Takase |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 飯田 哲広 / I. Iida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松原 順一 / J. Matsubara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)スーパーシリコン研究所-シリコン研究所 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-99 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |