| 講演名 | 1997/8/26 高集積DRAM構造の検討 只木 芳隆, 関口 敏宏, 村田 純, 村中 雅也, 三浦 真史, 真壁 一也, 帰山 敏之, 趙 成洙, 湯原 克夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 大容量DRAMメモリセルアクティブ領域レイアウトとしてガルウイングレイアウトを採用し、アイソレーション特性を評価した。ウエハでは電気的に極めて厳しい条件でアイソレーションを評価するとCOP起因のアイソレーション特性の問題が発生する。これがCOP周囲のLOCOS酸化膜形成に影響をおよぼすためと推定される。 |
| 抄録(英) | Achieved high density DRAM adopting Gull-wing shape memory cell layout for active layer. Evaluation of isolation characteristics at electrically severe condition shows COPs cause isolation failures. Failure model is COP cause thinning of the oxide thickness of LOCOS. |
| キーワード(和) | DRAM / COP / LOCOS / Isolation |
| キーワード(英) | DRAM / COP / LOCOS / Isolation |
| 資料番号 | SDM97-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高集積DRAM構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study of memory cell for high density DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | COP / COP |
| キーワード(3)（和/英） | LOCOS / LOCOS |
| キーワード(4)（和/英） | Isolation / Isolation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 只木 芳隆 / Yoshitaka Tadaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Devive development center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関口 敏宏 / Toshihiro Sekiguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Devive development center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村田 純 / Jun Murata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Hitachi, Devive development center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村中 雅也 / Masaya Muranaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング Hitachi VLSI engineering |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三浦 真史 / Masashi Miura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング Hitachi VLSI engineering |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 真壁 一也 / Kazuya Makabe |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング Hitachi VLSI engineering |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 帰山 敏之 / Toshiyuki Kaeriyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本テキサス・インスツルメンツ Texas Instruments Japan |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 趙 成洙 / Songsu Cho |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本テキサス・インスツルメンツ Texas Instruments Japan |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 湯原 克夫 / Katsuo Yuhara |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日本テキサス・インスツルメンツ Texas Instruments Japan |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-98 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |