| 講演名 | 1997/8/26 FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果 横山 道央, 田嶋 陵, 松橋 秀樹, 益 一哉, 坪内 和夫, |
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| 抄録(和) | MOSFETの微細化と共に、素子の寄生抵抗の増大が高速化を阻害する要因となってきており、特にゲート巾の大きいロジック・アナログ応用の場合に素子の寄生抵抗を低減する必要がある。我々は、開発してきた選択Al-CVD技術を用いて積極的に素子の寄生抵抗を低減するFSAM(Fully-Self-Aligned-Metalization) -MOS FETを提案している。本論文では、シミュレーションを用いた素子の寄生抵抗Static解析、及び寄生抵抗の動作速度への影響をDynamic解析により評価を行った。電流駆動能力の要求される、ゲート巾の大きいロジック・アナログ応用素子に対して、従来のサリサイドデバイスに比較しFSAMデバイスの寄生抵抗低減効果が大きい事を報告する。 |
| 抄録(英) | In 0.1-μm scaled MOS devices, interconnect parasitics are drastically limitting the performance improvement. We have proposed the FSAM(Fully-Self-Aligned-Metalization)MOSFET using selective Al CVD for reduction of the parasitic resistances. In this paper, static and dynamic analyses of the FSAM devices are reported compared with the conventional Ti salicide devices. It is cofirmed that the FSAM device is much effective in reduction of parasitic resistances for application to logic circuits and/or analog rf devices. |
| キーワード(和) | MOSFET / 微細化 / 寄生抵抗 / 選択Al-CVD / SPICEシミュレーション |
| キーワード(英) | scaled MOSFET / parasitic resistance / selective Al CVD / SPICE simulation |
| 資料番号 | SDM97-96 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Parasitic Resistances in FSAM-MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / scaled MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 微細化 / parasitic resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 寄生抵抗 / selective Al CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 選択Al-CVD / SPICE simulation |
| キーワード(5)（和/英） | SPICEシミュレーション |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横山 道央 / M. Yokoyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田嶋 陵 / R. Tajima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松橋 秀樹 / H. Matsuhashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 益 一哉 / K. Masu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 坪内 和夫 / K. Tsubouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-96 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |